1. 静电放电(ESD)
本节描述了静电放电现象、其对集成电路(IC)的影响以及与ESD相关的标准。
1.1 ESD现象
静电放电(ESD)是两个带电物体之间突然且短暂的电流流动。它在接触、电气短路或介质击穿时触发。 在电子设备上,ESD最常见的入口点是接口,例如连接器或人机交互设备。 ESD电流会诱发对敏感电子设备如微控制器有害的高电压尖峰。为了防止它们受到损害,会使用适应其操作环境的ESD保护方法或设备。 超过ESD保护能力的静电放电可能导致多种类型的故障,如金属化缺陷、氧化层击穿和烧毁缺陷。
金属化缺陷
通过金属走线的过大电流会引起局部热点并熔化金属。这可能会造成金属走线之间的开路或/和短路。
图1.金属化缺陷
氧化层击穿缺陷
过大的电场会损害介质。当介质厚度上的电压超过80-100伏特时,就会发生这种情况。介质的损害通常会导致永久性泄漏,这可能会引起连续故障。
图2. 氧化层击穿缺陷
烧毁缺陷
由于静电放电,键合垫上的热金属熔化,泄漏并烧毁硅片、键合或垫本身。
图3. 烧毁缺陷的示例。
这些缺陷可能导致微控制器/微处理器(MCU/MPU)表现出异常行为(软故障)或停止运行(硬故障)。 设备中的损坏可能是:
- 短路或断路
- 阻抗变化
- 额外的泄漏
- 由于通往地或另一个内部结构的电阻路径而造成的过度消耗
因此,应用可能会失去部分功能,或者完全停止工作。影响可能是立即的,也可能是延迟的,例如在ESD应力后的几次电源开关周期。 MCU内置了保护措施,以承受标准的工厂操作和对外部输入/输出垫的基本保护。内置的ESD保护会占用大量的硅片面积。在系统级别,只需要保护尽可能接近ESD源头的ESD入口点。使用特定设备(从简单的电阻到更复杂的低阻抗结构)来分流ESD电流并保护应用电路,而不会影响应用行为。 下图展示了一个简单的应用的两种变体,该应用有两个用户按钮,一个受保护,另一个未受保护。由于按钮与用户直接接触,它们可能是ESD的来源。
图4. 受保护和未受保护的MCU应用
1.2 ESD保护水平量化
与ESD保护相关的国际标准来自以下机构:
- 美国国家标准协会(ANSI)
- 国际电工委员会(IEC)
- 静电放电协会(ESDA)
联合电子设备工程委员会(JEDEC) 有三种常用的模型:
- 人体模型(HBM),代表人类对产品的操纵
- 带电设备模型(CDM),代表制造环境中的条件,如机械设备操作
- 机器模型(MM),由于与HBM相似,正在变得过时
JEDEC标准涉及制造环境。它旨在保护部件免受生产机械(CDM)和人类操纵(HBM)产生的ESD。 IEC 61000-4-2标准旨在确保部件能够承受在运行中的电子设备所面临的压力。 由于不同的MCU应用可能会使MCU面临非常不同的ESD压力条件,因此从IC的角度比较系统ESD的鲁棒性是不可能的。为了引导用户定位IEC 61000-4-2类别,设备数据表提供了一个基于估计的典型使用和PCB形状的值。 MCU数据手册通常提供两种类型的数据:
- 绝对最大额定值:基于JEDEC,在未供电的设备上执行,之后验证功能。
- 功能敏感性测试:基于IEC 61000-4-2,在运行中的设备上执行,突出显示系统的有效运行或自恢复能力。
1.3 应用中的ESD保护要求
电子设备必须符合有关ESD引起的压力的适用行业标准,以确保其鲁棒性。军事和医疗保健应用的保护要求比消费者应用更为严格。
下表列出了由IEC 61000-4-2(HBM)定义的ESD保护水平及其相应的测试电压。
表4. HBM(IEC 61000-4-2)的敏感性分类
测试类型 | 级别 | 测试电压 |
---|---|---|
接触放电 | 1 | 2 kV |
2 | 4 kV | |
3 | 6 kV | |
4 | 8 kV | |
空气放电 | 1 | 2 kV |
2 | 4 kV | |
3 | 8 kV | |
4 | 15 kV |
当接触无法被表征时,通常使用空气放电模型。
表5. ESD后果的分类
级别 | A类 | B类 | C类 | D类 |
---|---|---|---|---|
未检测到故障 | 检测到故障但干扰后自恢复 | 需要外部用户操作才能恢复正常功能 | 正常功能无法恢复 |
与现场处理产品故障相关的成本相比,ESD保护的成本和占用空间是次要的。因此,设备制造商有兴趣评估其产品的ESD暴露情况,并适当地保护它们。
1.4 选择最佳ESD保护方法
暴露于外部世界的MCU和MPU引脚需要保护,这些包括用于以下接口的输入和输出:
- USB、HDMI、USART、Ethernet
- 音频线路、麦克风、扬声器
- 操纵杆、触摸传感器、鼠标
- 射频天线、电源插头 本节描述了可能的ESD保护方法,然后重点介绍了瞬态电压抑制(TVS)器件。
1.4.1 ESD保护方法
使用钳位二极管 钳位二极管最常用作IC的ESD保护设备。微控制器、数字信号控制器和处理器通常集成了ESD钳位二极管。 没有内置ESD保护的IC可以使用外部钳位二极管进行保护,如下图所示。对于标准的GPIO,钳位到VDD和VSS的二极管将ESD应力分流到VDD(正极性)或GND(负极性)。在5V容忍的I/O上,钳位到VDD的二极管会阻止I/O被如此使用。 在VDD和GND之间放置一个电容器(例如1μF),并尽可能靠近二极管,以吸收ESD电流。
图5.钳位二极管作为ESD保护器件
使用压敏电阻
压敏电阻的电阻会随着两端的电压变化而变化——电压越高,电阻越低。 这种特性使得它们在暴露于静电放电(ESD)时表现为钳位装置。此外,压敏电阻是低容量和低成本的设备。它们的弱点是它们的钳位电压通常太高,无法保护输入/输出(I/O)端口。另一个缺点是,由于它们的构造,这些金属氧化物压敏电阻(MOV)在暴露于ESD时会退化。
图6.使用压敏电阻作为ESD保护器件
使用电容器
静电放电(ESD)最常由人类引起,当触摸电子设备时。IEC 61000-4-2标准(HBM)将电子设备的抗性归类为对330皮法(pF)电容器放电而不损坏。330pF的值被认为是人体电容的等效值。电阻在放电前以级别或电容器电压表示,可达到8kV。 可以使用电容器(通常为100纳法(nF)或更大)来保护电气端子,该电容器吸收了人体在ESD时转移到设备上的电荷。它通过两个电容量的比例缩小电压。为了使保护有效,保护电容器必须具有非常低的寄生电感,这是高频电容器的特性。 该解决方案非常适合保护静态端口,如电源端子,因为也需要电容器进行解耦。为了提高其ESD保护效果,可以并联添加一个小的瞬态电压抑制(TVS)器件,以抑制由于寄生电感引起的峰值。 这种方法不适合保护数据端口,因为它会降低数据速率或阻止数据接口运行。
图7.使用电容作为ESD保护器件
使用串联电阻
串联电阻限制了由ESD引起的电流。几千欧姆(kΩ)的电阻可以有效保护集成电路(IC)的输入/输出(I/O)端子。然而,这种解决方案通常不足以保护数据传输I/O端子,也不适用于电源端子。标准电阻器并非设计用来承受高电压。反复暴露于ESD可能会改变它们的属性,这可能会减少它们的保护效果或损害电子设备的功能。因此,将串联电阻作为ESD保护装置的应用必须经过适当的测试。
图8.使用电阻作为ESD保护器件
使用瞬态电压抑制器
瞬态电压抑制器(TVS),如Transil™,直到其两端的电压达到击穿水平之前都具有高阻抗。一旦达到其击穿电压,TVS就会以非常短的反应时间作为钳位装置工作。TVS设备有单向(见图10)和双向(见图11)两种。 双向TVS具有对称的电压-电流特性,在电压轴的负侧和正侧呈现相同的击穿电压。它非常适合保护模拟无偏线路。 单向TVS具有类似于齐纳二极管的非对称电压-电流特性。由于它将负干扰钳制在一个比双向TVS更低的水平,因此更适合保护只承受正电压的端子。
图9.使用瞬态二极管作为ESD保护器件
2.4.2 用TVS进行ESD保护
TVS设备提供了非常快的响应时间、清晰的电压-电流特性,以及对ESD的鲁棒性。此外,当超过它们允许的最大电流时,它们的破坏通常会将它们转变为短路状态。这通常比留下未受保护的设备要好。 单向TVS设备通常保护仅由正电压供电的电子设备(或集成电路),例如3.3V。双向TVS设备通常保护由正电压和负电压供电的电子设备,例如3.3V和-3.3V。 图10. 单向TVS电压-电流特性
由于我无法提供图形输出,图10的描述应该是单向TVS在电压-电流特性上呈现出类似于齐纳二极管的非对称曲线,这意味着它只在电压达到某个特定值时才开始导电,通常是在负电压下,从而保护电路免受负电压瞬态脉冲的损害。
图10.单向TVS特性
图11.双向TVS特性
1.5 为ESD保护优化应用
如果保护装置距离放电点太远,放电电流可能会引起过高的电场。感应到的电场可以通过耦合现象干扰系统的其他部分。因此,应尽可能将TVS设备靠近预期的静电放电点。 在ESD期间,TVS保护点的电压是以下几部分的总和:
- VBR - TVS设备的击穿电压
- VR - 跨寄生串联电阻Rd的电压:VR = Rd x IESD(其中IESD是ESD电流)
- VL - 跨寄生电感L的电压:VL = L x di/dt(di/dt是电流变化率)
PCB布线的主要挑战是确保大部分电流通过TVS保护装置流动,从而减轻MCU内置的ESD保护的负担。 由于每条走线都具有固有的电感,系统可以被简化为以下示意图:
图12. TVS保护系统的示意图
TVS路径的电感为L1 + L2 + L3,而通往受保护集成电路(IC)的电感为L1 + L4。为了使ESD电流流向TVS装置,重要的是尽可能保持L2和L3小,并且使L4大于L1。 下图展示了实现该目标的主要PCB布局措施。通过优化布局,TVS装置直接放置在PCB的信号和地轨道上。这样,它最小化了L2和L3的寄生电感。同时,它比要保护的IC更靠近ESD源头,从而最大化了L4/L1的比率。
图13.优化PCB布局
2. ESD 的应用方案
2.1 人机界面
大多数静电放电(ESD)是由人类引起的。以下部分涉及操纵杆、按钮和触摸感应的ESD保护解决方案。 注:涉及的STM32外设是:模数转换器(ADC)和通用输入输出(GPIO)。
2.1.1 操纵杆
对于操纵杆的五个按钮来说,五线保护组件是理想的选择。当STM32微控制器从其最大工作电压3.6V供电时,操纵杆感应输入/输出引脚的绝对最大电压远高于保护组件的击穿电压(VBR)(此处为6.1V)。这个余量允许使用具有寄生电容的保护组件。
图14.操纵杆端口的ESD保护
3.1.2 按钮 对于始终在 VDD 电压下的信号,使用低漏电保护组件。这种保护组件符合按钮应用的最大电压和频率,同时在 VBR 上留有良好的余量。
图15. 按钮端口的ESD保护(两个按钮)
2.1.3 触摸感应
对于触摸感应应用,请参考附录。
2.2 模拟和电源
以下部分涉及模拟信号监测、音频播放和录制以及电源的ESD保护解决方案。
2.2.1 模拟信号监测
可以通过模数转换器(ADC)监测模拟信号和线路,例如电池电压。电池监测线路,通常来自中间板,对ESD敏感,STM32 ADC的输入必须得到保护。
图16.模拟监控接口ESD保护
2.2.2 音频播放和录音
消费类应用通常提供一个音频插座,用于插入耳机或外部放大器,以及一个麦克风或另一个音频源。STM32设备可以连接到一个音频编解码器设备,该设备驱动外部音频信号。同时,该应用可以通过模拟或MEMS麦克风监测声学环境,以检测或取消噪声。由于这些信号线通过连接器、扬声器或麦克风面向环境,它们必须受到ESD保护。
图17. 带插座连接器的音频应用的ESD保护
图18. 带扬声器的功放的ESD保护
图19. 音频插口ECM的ESD保护
图20. 数字麦克风的ESD保护
2.2.3 电源
SMC30J Transil系列保护敏感设备免受低于3000瓦特(10/1000微秒)的浪涌和根据IEC 61000-4-2以及MIL STD 883,方法3015的ESD的侵害。它与高端设备和开关模式电源供应器(SMPS)兼容。这些应用需要一个具有低漏电流的ESD保护组件,该组件在高结温下可靠且持久。SMC30J采用符合IPC 7531标准的SMC封装。
图21. 电源线ESD保护
2.3 有线通信
以下部分涉及CAN、Ethernet、串行接口协议、RS-232和RS-485的ESD保护解决方案。
2.3.1 CAN
图22. CAN通信接口的ESD保护
2.3.2 以太网
图23. 以太网通信接口的ESD保护
2.3.3 RS-232和RS-485
图24. RS-232和RS-485通信接口内置ESD保护
图25. RS-232和RS-485通信接口外置ESD保护
2.3.4 其它接口ESD保护
图26. I2C通信接口ESD保护
2.4 多媒体
以下部分涉及MIPI D-PHY、并行显示接口、HDMI、USB 2.0全速或高速以及USB Type-C的ESD保护解决方案。
2.4.1 MIPI D-PHY (DSI and CSI)
图27. MIPI接口ESD保护
2.4.2 并行显示接口
图28. 并行显示接口ESD保护
2.4.3 HDMI接口
图29. HDMI接口ESD保护
2.4.4 USB接口
图30. 全速2.0USB接口ESD保护
图31. 全速2.0USB带OTG接口ESD保护
2.4.5 type C
图32. type C接口ESD保护
2.5 存储
2.5.1 SD卡
图33. SD2.0接口ESD保护
图34. SD3.0接口ESD保护
2.5.2 smart卡
图35. smart卡接口ESD保护
2.6 调试接口
2.6.1 SWD接口
图36. SWD调试接口ESD保护
2.6.2 JTAG接口
图37. JTAG调试接口ESD保护