汽车单片机控制器ESD保护硬件设计实践案例

本文详细探讨了静电放电(ESD)现象及其对集成电路的影响,介绍了ESD保护的标准、不同保护方法如钳位二极管、压敏电阻、电容器和电阻的应用,以及在STM32等微控制器的人机界面、模拟信号、电源、有线通信、多媒体接口和存储设备中的ESD保护实例。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1. 静电放电(ESD)

本节描述了静电放电现象、其对集成电路(IC)的影响以及与ESD相关的标准。

1.1 ESD现象

静电放电(ESD)是两个带电物体之间突然且短暂的电流流动。它在接触、电气短路或介质击穿时触发。 在电子设备上,ESD最常见的入口点是接口,例如连接器或人机交互设备。 ESD电流会诱发对敏感电子设备如微控制器有害的高电压尖峰。为了防止它们受到损害,会使用适应其操作环境的ESD保护方法或设备。 超过ESD保护能力的静电放电可能导致多种类型的故障,如金属化缺陷、氧化层击穿和烧毁缺陷。

金属化缺陷

通过金属走线的过大电流会引起局部热点并熔化金属。这可能会造成金属走线之间的开路或/和短路。

图1.金属化缺陷

 氧化层击穿缺陷

过大的电场会损害介质。当介质厚度上的电压超过80-100伏特时,就会发生这种情况。介质的损害通常会导致永久性泄漏,这可能会引起连续故障。

图2. 氧化层击穿缺陷

 烧毁缺陷

由于静电放电,键合垫上的热金属熔化,泄漏并烧毁硅片、键合或垫本身。

图3. 烧毁缺陷的示例。

这些缺陷可能导致微控制器/微处理器(MCU/MPU)表现出异常行为(软故障)或停止运行(硬故障)。 设备中的损坏可能是:

  • 短路或断路
  • 阻抗变化
  • 额外的泄漏
  • 由于通往地或另一个内部结构的电阻路径而造成的过度消耗

因此,应用可能会失去部分功能,或者完全停止工作。影响可能是立即的,也可能是延迟的,例如在ESD应力后的几次电源开关周期。 MCU内置了保护措施,以承受标准的工厂操作和对外部输入/输出垫的基本保护。内置的ESD保护会占用大量的硅片面积。在系统级别,只需要保护尽可能接近ESD源头的ESD入口点。使用特定设备(从简单的电阻到更复杂的低阻抗结构)来分流ESD电流并保护应用电路,而不会影响应用行为。 下图展示了一个简单的应用的两种变体,该应用有两个用户按钮,一个受保护,另一个未受保护。由于按钮与用户直接接触,它们可能是ESD的来源。

图4. 受保护和未受保护的MCU应用

1.2 ESD保护水平量化

与ESD保护相关的国际标准来自以下机构:

  • 美国国家标准协会(ANSI)
  • 国际电工委员会(IEC)
  • 静电放电协会(ESDA)

联合电子设备工程委员会(JEDEC) 有三种常用的模型:

  • 人体模型(HBM),代表人类对产品的操纵
  • 带电设备模型(CDM),代表制造环境中的条件,如机械设备操作
  • 机器模型(MM),由于与HBM相似,正在变得过时

JEDEC标准涉及制造环境。它旨在保护部件免受生产机械(CDM)和人类操纵(HBM)产生的ESD。 IEC 61000-4-2标准旨在确保部件能够承受在运行中的电子设备所面临的压力。 由于不同的MCU应用可能会使MCU面临非常不同的ESD压力条件,因此从IC的角度比较系统ESD的鲁棒性是不可能的。为了引导用户定位IEC 61000-4-2类别,设备数据表提供了一个基于估计的典型使用和PCB形状的值。 MCU数据手册通常提供两种类型的数据:

  • 绝对最大额定值:基于JEDEC,在未供电的设备上执行,之后验证功能。
  • 功能敏感性测试:基于IEC 61000-4-2,在运行中的设备上执行,突出显示系统的有效运行或自恢复能力。

1.3 应用中的ESD保护要求

电子设备必须符合有关ESD引起的压力的适用行业标准,以确保其鲁棒性。军事和医疗保健应用的保护要求比消费者应用更为严格。

下表列出了由IEC 61000-4-2(HBM)定义的ESD保护水平及其相应的测试电压。

表4. HBM(IEC 61000-4-2)的敏感性分类

测试类型级别测试电压
接触放电12 kV
24 kV
36 kV
48 kV
空气放电12 kV
24 kV
38 kV
415 kV

 当接触无法被表征时,通常使用空气放电模型。

表5. ESD后果的分类

级别A类B类C类D类
未检测到故障检测到故障但干扰后自恢复需要外部用户操作才能恢复正常功能正常功能无法恢复

与现场处理产品故障相关的成本相比,ESD保护的成本和占用空间是次要的。因此,设备制造商有兴趣评估其产品的ESD暴露情况,并适当地保护它们。 

1.4 选择最佳ESD保护方法

暴露于外部世界的MCU和MPU引脚需要保护,这些包括用于以下接口的输入和输出:

  • USB、HDMI、USART、Ethernet
  • 音频线路、麦克风、扬声器
  • 操纵杆、触摸传感器、鼠标
  • 射频天线、电源插头 本节描述了可能的ESD保护方法,然后重点介绍了瞬态电压抑制(TVS)器件。

1.4.1 ESD保护方法

使用钳位二极管 钳位二极管最常用作IC的ESD保护设备。微控制器、数字信号控制器和处理器通常集成了ESD钳位二极管。 没有内置ESD保护的IC可以使用外部钳位二极管进行保护,如下图所示。对于标准的GPIO,钳位到VDD和VSS的二极管将ESD应力分流到VDD(正极性)或GND(负极性)。在5V容忍的I/O上,钳位到VDD的二极管会阻止I/O被如此使用。 在VDD和GND之间放置一个电容器(例如1μF),并尽可能靠近二极管,以吸收ESD电流。

图5.钳位二极管作为ESD保护器件

 使用压敏电阻

压敏电阻的电阻会随着两端的电压变化而变化——电压越高,电阻越低。 这种特性使得它们在暴露于静电放电(ESD)时表现为钳位装置。此外,压敏电阻是低容量和低成本的设备。它们的弱点是它们的钳位电压通常太高,无法保护输入/输出(I/O)端口。另一个缺点是,由于它们的构造,这些金属氧化物压敏电阻(MOV)在暴露于ESD时会退化。

图6.使用压敏电阻作为ESD保护器件

 使用电容器

静电放电(ESD)最常由人类引起,当触摸电子设备时。IEC 61000-4-2标准(HBM)将电子设备的抗性归类为对330皮法(pF)电容器放电而不损坏。330pF的值被认为是人体电容的等效值。电阻在放电前以级别或电容器电压表示,可达到8kV。 可以使用电容器(通常为100纳法(nF)或更大)来保护电气端子,该电容器吸收了人体在ESD时转移到设备上的电荷。它通过两个电容量的比例缩小电压。为了使保护有效,保护电容器必须具有非常低的寄生电感,这是高频电容器的特性。 该解决方案非常适合保护静态端口,如电源端子,因为也需要电容器进行解耦。为了提高其ESD保护效果,可以并联添加一个小的瞬态电压抑制(TVS)器件,以抑制由于寄生电感引起的峰值。 这种方法不适合保护数据端口,因为它会降低数据速率或阻止数据接口运行。

图7.使用电容作为ESD保护器件

使用串联电阻

串联电阻限制了由ESD引起的电流。几千欧姆(kΩ)的电阻可以有效保护集成电路(IC)的输入/输出(I/O)端子。然而,这种解决方案通常不足以保护数据传输I/O端子,也不适用于电源端子。标准电阻器并非设计用来承受高电压。反复暴露于ESD可能会改变它们的属性,这可能会减少它们的保护效果或损害电子设备的功能。因此,将串联电阻作为ESD保护装置的应用必须经过适当的测试。

图8.使用电阻作为ESD保护器件

 使用瞬态电压抑制器

瞬态电压抑制器(TVS),如Transil™,直到其两端的电压达到击穿水平之前都具有高阻抗。一旦达到其击穿电压,TVS就会以非常短的反应时间作为钳位装置工作。TVS设备有单向(见图10)和双向(见图11)两种。 双向TVS具有对称的电压-电流特性,在电压轴的负侧和正侧呈现相同的击穿电压。它非常适合保护模拟无偏线路。 单向TVS具有类似于齐纳二极管的非对称电压-电流特性。由于它将负干扰钳制在一个比双向TVS更低的水平,因此更适合保护只承受正电压的端子。

图9.使用瞬态二极管作为ESD保护器件

2.4.2 用TVS进行ESD保护

TVS设备提供了非常快的响应时间、清晰的电压-电流特性,以及对ESD的鲁棒性。此外,当超过它们允许的最大电流时,它们的破坏通常会将它们转变为短路状态。这通常比留下未受保护的设备要好。 单向TVS设备通常保护仅由正电压供电的电子设备(或集成电路),例如3.3V。双向TVS设备通常保护由正电压和负电压供电的电子设备,例如3.3V和-3.3V。 图10. 单向TVS电压-电流特性

由于我无法提供图形输出,图10的描述应该是单向TVS在电压-电流特性上呈现出类似于齐纳二极管的非对称曲线,这意味着它只在电压达到某个特定值时才开始导电,通常是在负电压下,从而保护电路免受负电压瞬态脉冲的损害。

 图10.单向TVS特性

 图11.双向TVS特性

1.5 为ESD保护优化应用

如果保护装置距离放电点太远,放电电流可能会引起过高的电场。感应到的电场可以通过耦合现象干扰系统的其他部分。因此,应尽可能将TVS设备靠近预期的静电放电点。 在ESD期间,TVS保护点的电压是以下几部分的总和:

  • VBR - TVS设备的击穿电压
  • VR - 跨寄生串联电阻Rd的电压:VR = Rd x IESD(其中IESD是ESD电流)
  • VL - 跨寄生电感L的电压:VL = L x di/dt(di/dt是电流变化率)

PCB布线的主要挑战是确保大部分电流通过TVS保护装置流动,从而减轻MCU内置的ESD保护的负担。 由于每条走线都具有固有的电感,系统可以被简化为以下示意图:

图12. TVS保护系统的示意图

TVS路径的电感为L1 + L2 + L3,而通往受保护集成电路(IC)的电感为L1 + L4。为了使ESD电流流向TVS装置,重要的是尽可能保持L2和L3小,并且使L4大于L1。 下图展示了实现该目标的主要PCB布局措施。通过优化布局,TVS装置直接放置在PCB的信号和地轨道上。这样,它最小化了L2和L3的寄生电感。同时,它比要保护的IC更靠近ESD源头,从而最大化了L4/L1的比率。 

图13.优化PCB布局

2. ESD 的应用方案

2.1 人机界面

大多数静电放电(ESD)是由人类引起的。以下部分涉及操纵杆、按钮和触摸感应的ESD保护解决方案。 注:涉及的STM32外设是:模数转换器(ADC)和通用输入输出(GPIO)。

2.1.1 操纵杆

对于操纵杆的五个按钮来说,五线保护组件是理想的选择。当STM32微控制器从其最大工作电压3.6V供电时,操纵杆感应输入/输出引脚的绝对最大电压远高于保护组件的击穿电压(VBR)(此处为6.1V)。这个余量允许使用具有寄生电容的保护组件。

图14.操纵杆端口的ESD保护

3.1.2 按钮 对于始终在 VDD 电压下的信号,使用低漏电保护组件。这种保护组件符合按钮应用的最大电压和频率,同时在 VBR 上留有良好的余量。

图15. 按钮端口的ESD保护(两个按钮)

2.1.3 触摸感应

对于触摸感应应用,请参考附录。

2.2 模拟和电源

以下部分涉及模拟信号监测、音频播放和录制以及电源的ESD保护解决方案。

2.2.1 模拟信号监测

可以通过模数转换器(ADC)监测模拟信号和线路,例如电池电压。电池监测线路,通常来自中间板,对ESD敏感,STM32 ADC的输入必须得到保护。

图16.模拟监控接口ESD保护

2.2.2 音频播放和录音

消费类应用通常提供一个音频插座,用于插入耳机或外部放大器,以及一个麦克风或另一个音频源。STM32设备可以连接到一个音频编解码器设备,该设备驱动外部音频信号。同时,该应用可以通过模拟或MEMS麦克风监测声学环境,以检测或取消噪声。由于这些信号线通过连接器、扬声器或麦克风面向环境,它们必须受到ESD保护。

图17. 带插座连接器的音频应用的ESD保护

 图18. 带扬声器的功放的ESD保护

 

 图19. 音频插口ECM的ESD保护

  图20. 数字麦克风的ESD保护

2.2.3 电源

SMC30J Transil系列保护敏感设备免受低于3000瓦特(10/1000微秒)的浪涌和根据IEC 61000-4-2以及MIL STD 883,方法3015的ESD的侵害。它与高端设备和开关模式电源供应器(SMPS)兼容。这些应用需要一个具有低漏电流的ESD保护组件,该组件在高结温下可靠且持久。SMC30J采用符合IPC 7531标准的SMC封装。

图21. 电源线ESD保护

2.3 有线通信

以下部分涉及CAN、Ethernet、串行接口协议、RS-232和RS-485的ESD保护解决方案。

2.3.1 CAN

图22. CAN通信接口的ESD保护

 2.3.2 以太网

 图23. 以太网通信接口的ESD保护

2.3.3 RS-232和RS-485 

图24. RS-232和RS-485通信接口内置ESD保护

图25. RS-232和RS-485通信接口外置ESD保护

2.3.4 其它接口ESD保护

 图26. I2C通信接口ESD保护

2.4 多媒体

以下部分涉及MIPI D-PHY、并行显示接口、HDMI、USB 2.0全速或高速以及USB Type-C的ESD保护解决方案。

2.4.1 MIPI D-PHY (DSI and CSI)

图27. MIPI接口ESD保护

 2.4.2 并行显示接口

图28. 并行显示接口ESD保护

2.4.3 HDMI接口

图29. HDMI接口ESD保护

 2.4.4 USB接口

图30. 全速2.0USB接口ESD保护

图31. 全速2.0USB带OTG接口ESD保护 

 

 2.4.5 type C

图32. type C接口ESD保护 

 2.5 存储

2.5.1 SD卡

图33. SD2.0接口ESD保护 

图34. SD3.0接口ESD保护

2.5.2 smart卡

图35. smart卡接口ESD保护

2.6 调试接口

2.6.1 SWD接口

图36. SWD调试接口ESD保护

 2.6.2 JTAG接口

图37. JTAG调试接口ESD保护

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