汽车单片机控制器ESD保护硬件设计实践案例

1. 静电放电（ESD）

本节描述了静电放电现象、其对集成电路（IC）的影响以及与ESD相关的标准。

1.1 ESD现象

静电放电（ESD）是两个带电物体之间突然且短暂的电流流动。它在接触、电气短路或介质击穿时触发。 在电子设备上，ESD最常见的入口点是接口，例如连接器或人机交互设备。 ESD电流会诱发对敏感电子设备如微控制器有害的高电压尖峰。为了防止它们受到损害，会使用适应其操作环境的ESD保护方法或设备。 超过ESD保护能力的静电放电可能导致多种类型的故障，如金属化缺陷、氧化层击穿和烧毁缺陷。

金属化缺陷

通过金属走线的过大电流会引起局部热点并熔化金属。这可能会造成金属走线之间的开路或/和短路。

图1.金属化缺陷

 氧化层击穿缺陷

过大的电场会损害介质。当介质厚度上的电压超过80-100伏特时，就会发生这种情况。介质的损害通常会导致永久性泄漏，这可能会引起连续故障。

图2. 氧化层击穿缺陷

 烧毁缺陷

由于静电放电，键合垫上的热金属熔化，泄漏并烧毁硅片、键合或垫本身。

图3. 烧毁缺陷的示例。

这些缺陷可能导致微控制器/微处理器（MCU/MPU）表现出异常行为（软故障）或停止运行（硬故障）。 设备中的损坏可能是：

• 短路或断路
• 阻抗变化
• 额外的泄漏
• 由于通往地或另一个内部结构的电阻路径而造成的过度消耗

因此，应用可能会失去部分功能，或者完全停止工作。影响可能是立即的，也可能是延迟的，例如在ESD应力后的几次电源开关周期。 MCU内置了保护措施，以承受标准的工厂操作和对外部输入/输出垫的基本保护。内置的ESD保护会占用大量的硅片面积。在系统级别，只需要保护尽可能接近ESD源头的ESD入口点。使用特定设备（从简单的电阻到更复杂的低阻抗结构）来分流ESD电流并保护应用电路，而不会影响应用行为。 下图展示了一个简单的应用的两种变体，该应用有两个用户按钮，一个受保护，另一个未受保护。由于按钮与用户直接接触，它们可能是ESD的来源。

图4. 受保护和未受保护的MCU应用

1.2 ESD保护水平量化

与ESD保护相关的国际标准来自以下机构：

• 美国国家标准协会（ANSI）
• 国际电工委员会（IEC）
• 静电放电协会（ESDA）

联合电子设备工程委员会（JEDEC） 有三种常用的模型：

• 人体模型（HBM），代表人类对产品的操纵
• 带电设备模型（CDM），代表制造环境中的条件，如机械设备操作
• 机器模型（MM），由于与HBM相似，正在变得过时

JEDEC标准涉及制造环境。它旨在保护部件免受生产机械（CDM）和人类操纵（HBM）产生的ESD。 IEC 61000-4-2标准旨在确保部件能够承受在运行中的电子设备所面临的压力。 由于不同的MCU应用可能会使MCU面临非常不同的ESD压力条件，因此从IC的角度比较系统ESD的鲁棒性是不可能的。为了引导用户定位IEC 61000-4-2类别，设备数据表提供了一个基于估计的典型使用和PCB形状的值。 MCU数据手册通常提供两种类型的数据：

• 绝对最大额定值：基于JEDEC，在未供电的设备上执行，之后验证功能。
• 功能敏感性测试：基于IEC 61000-4-2，在运行中的设备上执行，突出显示系统的有效运行或自恢复能力。

1.3 应用中的ESD保护要求

电子设备必须符合有关ESD引起的压力的适用行业标准，以确保其鲁棒性。军事和医疗保健应用的保护要求比消费者应用更为严格。

下表列出了