高速PCB基础——阻抗（第二讲）

阻抗的定义

阻抗的定义为电压与电流之比：
$$Z=V/I$$
这个定义始终是正确的。

阻抗与信号完整性

1、任何阻抗的突变都会引起电压信号的反射和失真。衰减效应是由于串联和并联的阻性阻抗引起的。
2、信号的串扰是由于相邻信号线之间电场和磁场耦合引起的，信号线之间的互耦电容和互耦电感形成的阻抗决定了耦合电流和耦合电压的值。
3、如果信号线的互感较高就会产生地弹。当信号线的互容增加或者返回路径有损坏，互感将显著增加。
4、如果串联阻抗的电阻和并联导纳的电导都与频率相关，则其上升边将会被拉长。这些随着频率的升高而加大的损耗衰减导致了上升边的拉长。
5、电源供电轨道的塌陷实际上与电源分配网络 (PDN) 的阻抗有关。系统中必然流动着一定的电流量，以供给所有的芯片。当芯片的电流切换时，由于电源和地之间存在着阻抗，就会形成压降。这个压降意味着电源轨道和地轨道从标称值向下塌陷。
6、最大的电磁干扰根源是流经外部电缆的共模电流，此电流由地平面上的电压引起。在地平面上，返回电流路径的阻抗越大，电压降即地弹就越大，由它再激起辐射电流。减少电缆电磁干扰的最常用方法是在电缆周围使用铁氧体扼流圈，这主要是为了增加共模电流所受到的阻抗，从而减少共模电流。

时域中理想电阻器的阻抗

$$Z=R$$

时域中理想电容器的阻抗

理想电容器的容值：
$$C=Q/V$$
C=电容（F），
V=两极板的电压（V）
Q=存储的电荷（库伦）
流入电容的电流$I$
$$I=\frac{dQ}{dt}=C\frac{dV}{dt}$$
其中C为电容的容值
所以理想电容器的阻抗为：
$$Z=V/I=\frac{V}{C\frac{dV}{dt}}$$

时域中理想电感器的阻抗

理想电感器的两端电压：
$$V=L\frac{dI}{dt}$$
由此计算出理想电感的阻抗:
$$Z=V/I=\frac{L}{I}\frac{dI}{dt}$$

频域中电阻器的阻抗

任何信号都可以看作是正弦波的叠加，那么可以通过研究正弦波通过各个器件的波形得到阻抗，假设在电阻器两端施加正弦电流，则其电压的值为：
$$V=I_{0}sin(wt)R$$
由阻抗定义得其阻抗为：
$$Z=V/I=I_{0}sin(wt)R/I_{0}sin(wt)=R$$
所以电阻的阻抗与频域无关，且不会造成相移。

频域中电容器的阻抗

同上，可在电容器两端施加一个正弦电压，可得电容器的阻抗为：
$$Z=V/I=\frac{V}{C\frac{dV}{dt}}=\frac{V_{0}sin(wt)}{C\frac{d{V}_{0}sin(wt)}{dt}}=\frac{sin(wt)}{Cwcos(wt)}$$
即：
$$Z=\frac{1}{wc}\cdot \frac{sin(wt)}{cos(wt)}$$
其中$w=2\pi f$,$f$为频率。

频域中电感器的阻抗

$$Z=wL\frac{cos(wt)}{sin(wt)}$$