LPDDR4---retraining

前言-为什么需要retraining？

LPDDR4在设计的时候，为了降低功耗，在颗粒内部没有放置DLL用于稳住CK与DQS之间的相位对齐，DQS和CK之间的相位会随着温度变化而发生偏移。所以对于读来讲，CK与DQS之间的延迟参数tDQSCK是会随着温度而发生变化，从而影响PHY端准确地将DQ数据采样。

在写方面为了降低功耗，DQ与DQS之间在颗粒内部没有做延迟对齐。所以DQ与DQS之间的颗粒内部的延迟tDQS2DQ也会随着温度发生偏移。

所以为了防止偏移导致读写时序不满足，所以需要及时做retraining进行补偿。

两个参数tDQS2DQ和tDQSCK

tDQSCK

tDQSCK是指颗粒内部读命令发出到RDQS能从颗粒发出的时间。主要会受颗粒内部延迟偏移的影响。

其有一个变化范围：可以发现延迟会在几个ns，在高速频率下会超过一个周期，从而影响read gate采样的位置。

tDQS2DQ

针对写，颗粒内部DQ与DQS的延迟是不一致的，颗粒内部DQS与DQ之间的延迟是tDQS2DQ