1. 放大状态
发射结正偏,集电结反偏
(1) 载流子传输过程
-
发射区向基区扩散载流子
由于发射结正偏,发射区的自由电子向基区大量扩散,形成扩散电流。同时,基区的空穴也向发射区扩散,形成空穴扩散电流,但由于基区的掺杂浓度很小,这个电流几乎可以忽略。
I E = I E N + I E P I_E = I_{EN}+I_{EP} IE=IEN+IEP -
载流子在基区扩散与复合
来自发射区的大量自由电子部分与基区的空穴复合,仍由于基区薄且掺杂浓度低,复合的数量也是很少的。
I B = I E P + I B N − I C B O I_{B} = I_{EP}+I_{BN}-I_{CBO} IB=IEP+IBN−ICBO
- 集电区收集载流子
集电结反偏,来自发射区的自由电子在集电结迅速漂移,形成电流。同时,发射区的少量空穴和基区的少量自由电子在集电结漂移,形成几乎几乎可忽略的集电结饱和电流。
I C = I C N + I C B O I_C = I_{CN} + I_{CBO} IC=ICN+ICBO
(2) 电流分配关系
I C = β I B I_C = \beta I_B IC=βIB
I E = I B + I C = ( 1 + β ) I B I_E = I_B + I_C = (1+ \beta)I_B IE=IB+IC=(1+β)IB
保持
V
E
V_E
VE 和
V
C
V_C
VC 不变,只增大
V
B
V_{B}
VB,会使BJT三极管从
放
大
状
态
→
饱
和
状
态
放大状态→饱和状态
放大状态→饱和状态
2. 饱和状态
发射结正偏,集电结也正偏。
3. 截止状态
发射结反偏。
射极不能发出电子,故BJT不导通,近似断路。