DDR中的ODT功能详解及波形对比

本文详细介绍了DDR中的ODT(On Die Termination)功能,这是一种片内端接技术,用于替代PCB上的外部端接电阻。通过在DDR2及以上版本的数据信号中内置可调端接,简化了硬件设计。内容讨论了在数据读写操作中如何控制ODT,并通过实际案例展示了不同ODT阻值(30欧姆、40欧姆、60欧姆)对1Gbps速率下一驱二T型拓扑数据线信号质量的影响。
摘要由CSDN通过智能技术生成

ODT(on die termination)即为片内端接,就是将端接电阻放在了芯片内部,这个功能只有在DDR2以上的数据信号才有。而有了ODT功能,原本需要在PCB板上加串联电阻的数据信号就不需要再额外添加端接了,只需要芯片内部打开ODT的端接功能,且这个端接可调。
以下就是ODT的端接情况,如图所示:
在这里插入图片描述
当数据读操作的时候,主控芯片(CPU)读取内存颗粒的数据,此时主控为接收端,可根据需要选择是否打开ODT功能;
当数据写操作的时候,主控芯片(CPU)将数据写入内存颗粒,此时颗粒为接收端,也可以根据需要选择是否打开ODT功能。
这种操作可以在寄存器内部实现控制,大大简化了硬件上的电路设计。

而有关DDR是否开启ODT功能,ODT数值该调整为多少,到底什么阻值才是最适合DDR的,下面就用实际案例来说明一下。以下是一个一驱二的T型拓扑设计,速率1Gbps。
1.地址控制线信号质量(33欧姆)时,波形如下:
在这里插入图片描述
2.ODT关掉后数据线信号质量波形如下:

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