mom mim mos

MIM电容的优点：

可以利用Via和特殊工艺分别将奇数层连接（M9, M7, M5）和偶数层 (M8，M6, M4)连接，这样可以增加单位面积电容。

MIM电容的缺点：

在65nm工艺下，即便用上9层金属和Poly去构建MIM，其单位面积电容也只有（1.4fF/微米平方），而寄生电容Cp可以达到总电容的10%。

MOM电容的优点：

-高单位电容值

-低寄生电容

-对称平面结构

-优良RF特性

-优良匹配特性

-兼容金属线工序，无需增加额外工序

在先进CMOS制程中，MOM电容已经成为最主要的电容结构。在28nm工艺中，固定电容只有唯一的MOM形式。

MOS电容的优缺点：

MOS电容主要的优势就是节省面积、方便；缺点则是，MOS电容其实是个“压控电容”，当上下两个极板的压差发生变化，容值也会跟着改变，这在要求高精度的电路中，几乎是致命的。在微弱信号采集的前端模拟电路中，MOS电容并不适用。

总结

MOS电容：两端结构的mos管，电容值不精确，可以实现随控制电压变化而变化的容值，上下极板接法不可互换。
MOM电容：finger 插指电容，即利用同层metal边沿之间的C。为了省面积，可以多层metal叠加，PDK中metal层数可以选择。一般只在多层金属的先进制程上使用，因为是通过多层布线的版图来实现的，但得到的电容值确定性和稳定性不如MIM，一般可能会用在那种对电容值要求不高，只是用到相对比值之类的应用。上下极板接法可互换。
MIM电容：类似于平板电容，电容值较精确，电容值不会随偏压变化而变化，一般制程上用mTOP l & mTOP -1 来做，电容值可以用上级板面积*单位容值来进行估算，上下极板接法不可互换，一般用于analog，RF工艺。