【嵌入式硬件】三极管伏安特性曲线-饱和区

本文探讨了三极管的工作特性,重点分析了饱和区。在饱和区,尽管曲线斜率较大,但Ic的增大幅度并不随Ib的增大而增大,与放大区不同。作者提出了两种看法,解释了Ic在饱和区的增大幅度相对较小的现象,并指出在Vce很小且Ib不变的情况下,Ic会随着Vce的增加迅速增加。

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1.三极管伏安特性

        三极管工作电路如下图所示。 

        三极管伏安特性曲线

        书本上的描述:

截止区:三极管工作在截止状态,当发射结的电压Ube 小于 导通电压(0.6V-0.7V),发射结没有导通;集电结处于反向偏置,没有放大作用。

放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系。

饱和区:当三极管的集电结电流Ic增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。

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