【嵌入式硬件】三极管伏安特性曲线-饱和区

1.三极管伏安特性

        三极管工作电路如下图所示。 

        三极管伏安特性曲线

        书本上的描述：

截止区：三极管工作在截止状态，当发射结的电压Ube 小于 导通电压（0.6V-0.7V），发射结没有导通；集电结处于反向偏置，没有放大作用。

放大区：三极管的发射极加正向电压（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系。

饱和区：当三极管的集电结电流Ic增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。

 2.疑惑点-饱和区

        上面三个工作区中，截止区和放大区的原理和曲线都好理解。

        疑惑点：书本上说在这个区域中Ic不再随着Ib的增大而增大，但观察饱和区的曲线，那不都是一根根斜率很大的曲线吗？也就是说，在这个区域中，Ic不仅不是没有随