基于24LC65P的EEPROM设计

一、基本概念

         可以看到同类型具有较多型号,主要体现在VCC供电方面,应该是和器材本身有关,切记查看不同类型所需的VCC供电

        24XX65为64K存储,但是其分为两个部分

        (1)可重定位块:为频繁变化的数据提供了4K,特点是高速

        (2)数据部分:即60K,特点是寿命长,保证在1,000,000擦写(E/W)周期内运行。24XX65的特点是输入缓存的快速写负载的容量为8页,或64字节。

        功能地址线允许在同一总线上连接多达8个位连续EEPROM存储器。


二、引脚说明

名称功能
A0,A1,A2用户可配置片选地址(000-111)最多8片
VSSGround
SDAIIC数据线
SCLIIC时钟线
VCC+1.8V~+6V
NC悬空

         可以看到引脚说明非常的简洁,需要注意的是,可以实现最多8片并联,实现8*64K的数据读写。


三、电参数与电路设计

       极限电参数如下:

         实际使用时:在极限电参数中列出的可能会对设备造成永久性损害。这只是一种极限等级,不代表设备在这些极限条件下的功能运行正常,长时间暴露在最大额定条件下可能会影响设备的可靠性。

VCC+7V
所有输入或输出-0.6V~VCC+1V
存储温度-65~150
工作温度-40~125
ESD引脚保护+4kV

         高电平输入有效、低电平输入有效,输入输出的leakage电流。

        工作电流:当VCC=6V、SCL时钟为400KHz时,读写电流相差较大,一般write大于read。

        电路设计非常简单,不再介绍,A0,A1,A2直接和GND、VCC等相接,实现地址片选配置,供电输入后,仅剩IIC引脚(若采用的单片机等器件驱动能力弱,则最好通过上拉4.7K电阻到供电VCC)


四、时序介绍

1、开始或结束

        SCL就是400KHz时钟。

        开始过程:SDA,应在SCL上升沿后保持一定时间高电平,即Tsu,即此时SCL、SDA均为高。在保持Tsu后,SDA拉低,且最少具有Thd时长的低电平,即SCL为高、SDA为低。且之后SCL所有上升沿时,SDA均为高。

        结束过程:在SCL上升沿时,SDA为低,即和开始过程的最后一句话相反,此时SCL上升沿后,SDA需要保持一定时间的低电平,即Tsu,即此时SCL为高、SDA为低,保持后,SDA拉高,即完成结束。 

        总结:时钟(SCL)高电平时,SDA线的高电平到低电平的转换决定了启动条件,所有命令前必须有一个Start条件;当时钟(SCL)高时,SDA线从低到高的转换决定了停止条件,所有操作必须以Stop条件结束。

2、数据变化

        可以看到具有SDA-IN和SDA-OUT,对应数据线输入或输出,因为可以进行读写,所以当读时单片机为从,此时做输入,当写时单片机做主,此时做输出。 

        简单而言,SDA变化都是在SCL为低时进行的,SCL为高时对应采样时刻,此时SDA数据必须稳定,此时数据才有效。

        总结:当启动条件start之后,数据线在时钟信号的高周期内保持稳定时,数据线的状态表示有效数据。线路上的数据必须在时钟信号的低周期内改变。每位数据有一个时钟脉冲。每个数据传输都以一个Start条件启动,并以一个Stop条件终止。在启动和停止条件之间传输的数据字节数由主设备决定。


五、协议介绍

        可以看到,先传输起始条件,再设备寻址,数据读取或写入,最后传输终止条件。 

1、物理设备寻址

        控制字节由一个4位控制代码组成,对于24XX65,它被设置为' 1010 '二进制来进行读写操作。可以看到如下图,控制字为:1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W,读写时对应不同的R/W,因此可以看到最多可以外挂8片EEPROM。

 2、片内地址寻址

       分为两个word即2个bytes,即高位地址和低位地址,

        (1)单次数据写,实际传输时如下图:

         可以看到前后为起始和结束,先传输控制字,再传输待写的地址,最后进行一个data数据交互。

        (2)多次数据写,实际传输时如下图:

        可以看到前后为起始和结束,先传输控制字,再传输待写的地址,最后进行一个data数据交互。

        (3)选地址读,实际传输时如下图:

         可以看到前后为起始和结束,先传输控制字,再传输待读的地址,最后进行data数据交互。实际上读取也具有多次数据读,只要读数据后不立马进行STOP即可接着读取数据。

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