微电子电路——例题总结

本次主要是对经典题目的汇总，如果想看对知识点的汇总，可以看我另一篇博客：微电子电路——期中总结

一、绪论

1、第一个晶体管发明年份？：1947
2、发明者当时供职于哪家公司？：bell lab
3、第一块集成电路发明年份？：1958
4、发明者当时供职于哪家公司？：TI
5、第一台计算机诞生年份？：1946
6、发明者当时供职于哪家公司？：bell lab
7、第一个mos管诞生年份？：1960
8、cmos管诞生年份？：1963

二、基本元件

1、考虑标准0.13µm CMOS工艺下NMOS管，零衬偏时阈值电压VT=0.3V，栅氧厚度为tox=260nm，衬底掺杂浓度NA=2×1017cm-3，衬底接地。如果源极VS=0.3V时，室温下NMOS管阈值电压变化多少？
这道题主要考察阈值电压公式：

重点是我们需要根据他给出来的值来计算体效应系数

其中的ε是常量，q也是常量，而Na题目中已经给出，我们需要计算的仅仅是删氧化层的电容，根据公式：

综上可以计算出体效应系数，然后需要计算两个费米能级φ，费米能级的公式为：

其中的KT/q是常温下的热电压，ni是本证载流子的浓度，都是应该给出来的常量，代入计算即可。由于源极电压VS=0.3，那么源底电压=-0.3，带入最初的共识，便可以计算出最终的阈值电压
这道题很难，但要知道，在考试的时候，所有的公式，常量老师都会给出来的，重点是我们怎么用（~~希望吧）。

2、考虑标准0.13µm CMOS工艺下NMOS管，宽长比为W/L=0.26µm/0.13µm，栅氧厚度为tox=26Å，室温下电子迁移率µn=220cm2/V·s，阈值电压VT=0.3V，计算VGS=1.0V，VDS=0.2V和1.0V时ID的大小。
这道题我们要算的是漏源电流的大小，首先根据给出的VGS和VT可以知道VGS>VT，而当VDS=0.2的时候，VDS<VGS-VT，说明此时处于线性区，使用公式：

相应的，当VDS=1的时候，VDS>VDS-VT，说明此时处于饱和区，使用公式：

此时我们要计算的只不过是这个常数β，代入公式：

同样，W和L已经给出，μn也已经给出，只有Ctox删氧化层电容需要计算，代入公式：

至此，所有的参数已经计算完毕，就可以得到漏电流的值。

各位可以看到，标准0.13μm的nmos管经常出现，大家可以记一下他的ε的值或者Ctox删氧化层电容的值，是3.98.8510^-14/tox，而tox的单位A是10^-8

3、以N型半导体为例，他的多数载流子是自由电子，即自由电子浓度n＞空穴浓度p，那么他是否保持电中性？为什么？
是保持电中性。
从微观上讲，不管是多子还是少子，都是在原子核之外而言的。就以题目中的N型半导体为例。由于N型半导体是掺杂了五族元素制作而成的，导致在晶格中存在较多的自由电子，构成了多数载流子。
从宏观上来看，本征半导体为电中性，掺杂也是电中性，故**所有电子（不管是不是自由电子）**的数目和原子核中质子的数目是相等的，所以对外不显电性。

4、在半导体中，哪些是带正电的？：电离施主、空穴

5、在半导体中，哪些是带负电的？：电离受主、自由电子

6、对一个半导体而言会有如下公式：
对于施主杂质，可以认为是电子数d=空穴数d+施主离子数。其中注意，这里的电子数并不等于n，而是仅仅由施主杂质产生的电子。
对于受主杂质，可以认为是空穴数a=电子数a+受主离子数。其中注意，这里的空穴数并不等于p，而是仅仅由受主杂质产生的空穴。

7、下图的 MOS 晶体管各是什么类型，标明每个 MOS 晶体管的栅、源、漏极，分析它们的工作状态，设所有晶体管的阀值电压的绝对值都是 1V。

(a)增强型nmos，左为栅极，上位漏极，下为源极，VT=1V，VG-VT>VDS。工作于线性区
(b)增强型nmos，左为源极，上位栅极，下为漏极，VT=1V，VDS>VG-VT。工作于饱和区
©耗尽型nmos，左为栅极，上位漏极，下为源极，VT=-1V，VDS>VG-VT。工作于饱和区
(d)增强型pmos，左为栅极，上位源极，下为漏极，VT=-1V，VDS>VG-VT。工作于线性区

8、如图所示，M1 和 M2 两管串联，且 VB < VG-VT < VA，请问：
（1） 若都是 NMOS，它们各工作再什么状态？
（2） 若都是 PMOS，它们各工作在什么状态？
（3） 证明两管串联的等效导电因子是 Keff = K1K2/(K1 +K2)。

解：
（1）假定VC的值，根据VB<VG-VT<VA，可以得到两种情况：
①M1饱和且M2线性（VC<VG-VT）
②M1截止且M2饱和（VC>VG-VT）
假设M1截止、M2饱和，则上nmos电流为0，下nmos电流大于0，VC被下拉，电路处于非稳态，所以VC会继续下降到VC<VG-VT，使M1导通，M2线性，最终达到M1饱和，M2线性的状态，此时为稳态。
（2）同上，得出M1线性、M2饱和
（3）假设都是nmos管，由于VB<VG-VT<VA得到：
ID1=K1(VG-VT-VC)^2
ID2=K2[(VG-VT-VB)^2-(VG-VT-VC)2]
IDeff=Keff(VG-VT-VB)^2
由此可以得到：
又因为ID1=ID2=IDeff
化简后可得Keff=K1K2/(K1 +K2)

三、反相器

1、对于W/L=20/1的晶体管，其 KP和KN分别是多少？

我们可以根据K值的公式：

题目中给出的K‘实际上就是除去了宽长比的K值，即K‘=1/2μCox
所以，这道题已经很简单了，直接代入公式就可以。

2、CMOS反相器中(W/L)P=(W/L)N时，KR为多少？ 计算这个KR值时，CMOS反相器由逻辑阈值点确定的最大噪声容限为多少？（VDD=2.5V, VTN=0.6V, VTP=-0.6V）
这道题我们需要计算Kr=KN/KP，直接带入公式可以求出大概为2.5

要计算最大噪声容限，我们需要计算出转换电平Vit的值，即公式：

此时我们已经有所有的值，那么直接算出转换电平的值，而最大噪声容限是VDD-Vit与Vit之间的小值，可以计算出

3、求图中反相器的最大电流？


想要计算最大电流说明是双饱和区的时候，即公式：

由于K‘都已经给出，且VT都给出了，宽长比在图中给出分别是5/1和2/1，VDD为2.5V，那么就可以直接计算出此时的Vin，然后带入等式两边任意一个就可以计算出此时的漏电流大小。

4、计算图中反相器平均传输延迟tP，其中CL=1pF


想要计算平均延迟时间，我们需要用到公式：


题目中已经给出了负载电容的值，高电平为2.5V，K值可计算，VT已经给出，直接带公式就可以。

基本上题目就是这些，更多的是如何利用公式你觉得我会押题吗不可能的我不可能再被打脸了哈哈哈哈祝大家考试顺利