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1、N25Q128A芯片解读
N25Q128A的参数有很多,作为FPGA开发者,需要关注如下参数:
1、4KBytes为1个Sector(扇区);
2、16个Sector(扇区)是1个Block(块)64KBytes;
3、容量为16M=128Mbite字节,共有256个Block,4096个Sector;
这三个参数直接决定了你怎么组织数据的读写操作,比如你的数据量很小,则考虑写入1个Sector(扇区),如果你的数据量很大,则考虑写多个Sector(扇区);
N25Q128A按照读写速度分为标准、Quad/Dual三种,这里只介绍标准版,学fpga就是这样,先把最基础的搞懂再去研究高级的,一步步扎实点兄弟。。。
标准模式下只需用到4个引脚:
时钟QSPI_CLK:25M即可,对于Flash来说,上升沿采集数据,下降沿输出数据;对于FPGA来说,则是下降沿输出数据,上升沿采集数据。。。我看到csdn上有人给出的代码居然直接有always @( negedge QSPI_CLK) 这样的写法,真是为这样的大佬感到震惊,感觉在校本科生也知道这样写不好吧。。。
片选信号QSPI_CS:低电平有效;
数据输出信号:QSPI_DQ1;
数据输入信号:QSPI_DQ0;
硬件原理图部分如下:
N25Q128A在本设计中需要用到的指令如下:
parameter CMD_NULL = 8'h00 ; //空操作
parameter CMD_RD_DEVICE_ID = 8'h9F ; //读ID
parameter CMD_WR_DISABLE = 8'h04 ; //写禁止
parameter CMD_WR_ENABLE = 8'h06 ; //写使能
parameter CMD_PAGE_PROGRAM = 8'h02 ; //页编程
parameter CMD_RD_DATA = 8'h03 ; //读数据
parameter CMD_SECTOR_ERASE = 8'h20 ; //扇区擦除
parameter CMD_RD_STATUS_REGISTER = 8'h05 ; //读状态寄存器
状态寄存器描述如下:
在写入指令或地址之前,需要读bit0为,确保其值为0才可操作;
其他的去看数据手册吧,太多了也写不完;
2、N25Q128A读写时序
N25Q128A读写本质上都一样,发送指令或发送指令加地址,则完成了读写操作;具体的对应关系如下,仅限本设计用到的:
/* name instruction cmd addr rd wr
读芯片信息 CMD_RD_DEVICE_ID 9F √ √
写禁止/写使能 CMD_WR_DISABLE/WR_ENABLE 04/06 √
页编程(写数据) CMD_PAGE_PROGRAM 02 √ √ √
读数据 CMD_RD_DATA 03 √ √ √
扇区擦除 CMD_SECTOR_ERASE 20 √ √
读状态寄存器 CMD_RD_STATUS_REGISTER 05 √ √
空指令 CMD_NULL 00
*/
3、整体设计思路架构
整体设计思路架构如下:
1、VIO模拟按键:
启动一次QSPI读写操作,高电平有效;
2、QSPI读写驱动:
verilog代码实现,根据输入的指令和地址输出/输入QSPI数据;
3、QSPI读写操作:
读ID–>块擦除–>写入256个字节数据到Sector0–>读出256个字节数据–>缓存FIFO;
4、缓存FIFO:
缓存读出的256个字节数据,等待串口读取;
5、串口发送:
读取缓存FIFO数据,发送上位机显示;
4、verilog读写Flash驱动设计
使用三段式状态机实现;根据输入的指令或地址完成对应读写操作;
代码比较长,这里就不粘贴了,需要源码的兄弟可联系我;
顶层接口部分如下:
module helai_flash_driver #(
parameter SYS_CLK_M = 200, //系统时钟
parameter SPI_CLK_M = 25 //QSPI时钟
)(
input clk ,
input rst_n ,
input i_flash_start , //启动驱动,高电平有效
input [ 7:0] i_flash_cmd , //输入指令
input [23:0] i_flash_addr , //输入地址
input i_flash_dqout , //N25Q128A输出
output reg o_flash_dqin , //N25Q128A输入
output o_flash_csn , //N25Q128A片选
output reg o_flash_cmd_ok , //单次读写操作完成
output reg [ 7:0] o_flash_rx_data, //输出数据
output reg o_flash_rx_de //输出数据有效,高有效
);
5、verilog读写Flash控制器设计
使用三段式状态机实现;状态机步骤如下:
//第一步:读ID,发送CMD_RD_DEVICE_ID指令
//第二步:读ID完成,进入写禁止,发送CMD_WR_DISABLE指令
//第三步:进入写使能,发送CMD_WR_ENABLE指令
//第四步:进入页擦除,发送CMD_SECTOR_ERASE指令
//第五步:进入读状态寄存器,发送CMD_RD_STATUS_REGISTER指令
//第六步:进入写使能,发送CMD_WR_ENABLE指令
//第七步:进入页写,发送CMD_PAGE_PROGRAM指令
//第八步:进入读状态寄存器,发送CMD_RD_STATUS_REGISTER指令
//第九步:进入读状数据,发送CMD_RD_DATA指令
代码比较长,这里就不粘贴了,需要源码的兄弟可联系我;
6、FIFO缓存设计
fifo缓存读出的256字节数据,等待串口读取,很简单,不多说;
7、串口输出Flash读取数据
波特率自由配置,很简单,不多说;给出顶层接口如下:
module uart_transfer #(
parameter SYS_CLK_M = 200,
parameter UART_CLK = 115200
)(
input clk ,
input rst_n ,
input [ 7:0] txd_data ,
input txd_data_vld,
output txd_data_rdy,
output reg txd_uart
);
8、vivado工程介绍
开发板:Xilinx Artix7开发板;
开发环境:vivado2019.1;
输入:VIO;
输出:串口;
9、上板调试验证并演示
视频演示:
FPGA纯verilog代码读写N25Q128A QSPI
10、福利:工程源码获取
福利:工程代码的获取
代码太大,无法邮箱发送,以某度网盘链接方式发送,
源码下载链接:https://download.csdn.net/download/qq_41667729/87767023
网盘资料如下: