精读Relational Embedding for Few-Shot Classification

最新推荐文章于 2024-03-24 14:59:04 发布

格里芬阀门工

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分类专栏：深度学习文章标签：深度学习

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摘要

作者没有对比现有方法的不足，而是直接提出少样本分类可以通过原学习“观察什么”和“注意哪里”的问题提高性能。文章提出里一个自关联模块SCR和一个交叉关联模块CCA，让模型先自我修正，再参照另一幅图像调整注意力范围，并最终优化少样本分类结果。

方法

架构

架构部分没啥好说的，基本看图就行，SC是自关联信息提取模块，g为四个卷积处理自关联信息，两者一起构成SCR。CC是交叉联信息提取模块，h为两个卷积处理交叉关联信息，两者一起构成CCA，最终输出两张图象分类结果。

不过以要注意的是，输入模型的两张图，一张是已知的支持图像support，一张是需要分类的查询图像query。

SCR

在SCR中，模型计算每个像素与周围像素的哈达玛积，即同尺寸矩阵按位相乘。像素点X处的矩阵为该位置每个通道的数值组成的一维矩阵。之后，确定超参数dU和dV，选取周围的像素相对于X的位移量必须在[-dU,dU]X[-dV,dV]之间。比如令dU=1，X的横坐标为5，那么周边像素可选横坐标范围为[4,6]，包括X本身。

因为X处提取出的矩阵大小为1*C，哈达玛积之后依然为1*C。而确定dU和dV后，便可确定X周边可选像素个数为U*V，其中U=2dU+1，V=2dV+1。将这U*V个1*C矩阵合为一体，就是像素点X的周边信息，而一共有H*W个像素点，边缘处的点利用零填充保证其同样可以得到U*V个矩阵，则经过处理后，整个张量尺寸变为H*W*U*V*C。

上面所说的，还只是图中红色模块，真正提取出自关联信息的，主要是下面四个卷积。第一个卷积负责减少通道数，降低计算量，后面两个在U*V维度上进行的3*3卷积将U*V个矩阵的信息综合到一点，并最终通过1*1卷积恢复通道数。最后还有一个残差连接。

CCA

与SCR相似，CCA也是先提取信息，再处理，两者是分开的。第一步通过1*1卷积减少通道数。加下来的计算十分暴力，因为两张图象均为H*W大小，每个像素处有一个1*C'大小的矩阵。模型计算了两张图全部位置的点的相似度，因此计算后的张量大小达到了H*W*H*W*1。

还看不懂的话，就理解为ai与bj计算余弦相似度，a与b均为一维向量，i与j范围均为[1,H*W]，每个a分别于每个b做运算，最后得到了H*W*H*W个结果，将这些结果放入四维矩阵，就得到了交叉关联信息。

最后之所以乘1而不是C'，是因为SCR计算的是矩阵哈达玛积，结果依然为同规模矩阵，而CCA计算的是余弦相似度，是一个标量。

此时，模型记录的只是任意两点之间的余弦相似度，而查询图像的点与支持图像中哪个像素关系最密切还没算出。此时要通过如下公式计算Aq。

$A_{q}(x_{q})=\frac{1}{HW}\sum_{x_{s}} \frac{exp(\hat{C}(x_{q},x_{s})/\gamma )} {\sum_{x_{q}^{'}exp(\hat{C}(x_{q}',x_{s})/\gamma )}$

xq为查询图像上一个像素点，xs为支持图像上的像素点。

注意力池化

得到的Aq并不是最终嵌入，想要得到最终嵌入，还需要将Aq与F按H*W的维度相乘，得到一个1*C的嵌入。按H*W是指，对于F来说，任意一个像素点上有C个通道，即C个值，这些值分别与Aq对应位置的值相乘，得到结果。再将同一通道上的H*W个点的数值加到一起，最终得到了C*1的嵌入q。

损失函数

得到q还不够，还要经过一个全连接层得到分类结果。因此第一个损失是分类结果的损失。

$L_{anchor}=-log\frac{exp(w_{c}^{T}z_{q}+b_{c})} {\sum_{c'=1}^{|C_{train}|}exp(w_{c'}^{T}z_{q}+b_{c'})}$

w和b分别为分类器的权重和偏移，w为c*1，b为标量。w和c均有|Ctrain|个，即数量为训练集类别数。

在log内，分子一定会出现在分母那一堆数相加之中，所以分子越大，分母中其他数占比越小，整个数越大，但只能趋近于1，到不了1。经过log运算后的值也越从无穷小趋近于0，乘以-1后，就是分子越大，损失函数就从无穷大往0移动。

同时，作者还希望同一个类的嵌入尽可能接近，因此提出了另一个损失函数。假设查询集和支持集各k张图，来自c个类，则计算出两个集中每个类的嵌入的平均值 $\left \{ \bar{q}^{(n)} \right \}_{n=1}^{N}$ 和 $\left \{ \bar{s}^{(n)} \right \}_{n=1}^{N}$ ，则损失函数为