《低功耗方法学》翻译——第十二章：物理库

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第十二章：物理库

实现低功耗设计的第一步之一是选择支持设计中使用的低功耗策略的标准单元库和一组存储器编译器。本章介绍多电压功率门控设计对标准单元库和存储器的要求

12.1 标准单元库

标准单元库针对不同的性能、功率和面积目标进行调整。对于低功耗设计，库的选择和混合可能会对功率、时序和面积产生重大影响。

单元库的一个关键特征是单元的高度。单元的高度是以track为单位测量的，这是金属1(M1)节距（pitch）。一个8轨道的单元的高度足以让八根水平的M1线穿过它。

单元库设计为具有一定高度的track，该高度会影响库的时序和布线特性：

• 较高的track高度库支持更复杂的布线、更大的驱动强度晶体管，并且通常会针对性能进行调整，但可能会显示更高的漏电功率。11或12track的库被认为是较高的track高度的库。
• 低track高度库针对面积效率进行了优化，但通常使用更小、驱动强度较低的晶体管进行设计，因此不太适合高速设计。7或8track库被认为是低track高度库。
• 标准track高度库是为了在区域效率和性能之间提供合理的折衷而设计的。这些库在大多数设计中使用。9或10track被认为是标准track高度库。

可以使用具有不同阈值电压的晶体管来构建具有兼容引脚封装的库：

• 高VT库以一些较低的性能为代价，显示出最低的泄漏功率。高VT库对于非关键时序设计和高性能设计中的非关键路径是一个很好的选择。
• 低VT是用高速但泄漏也高的晶体管࿰