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Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:1、击穿电压强度高（10倍于Si）
2、更宽的能带隙（3倍于Si）
3、热导率高（3倍于Si）
这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。
SiC MOSFET性能明显优于Si MOSFET
1.极其低的导通电阻RDS(ON)，导致了极其优越的正向压降和导通损耗，更能适应高温环境下工作。
2.SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的输入特性，即相当低的栅极电荷，导致性能卓越的切换速率。
3. 宽禁带宽度材料，具有相当低的漏电流，更能适应高电压的环境应用。
SiC MOSFET与S
碳化硅MOSFET 大大提高了高温稳定性
最新推荐文章于 2024-09-06 11:12:31 发布
本文介绍了碳化硅（SiC）MOSFET相较于硅（Si）MOSFET在高压、高频和高温环境下的优势。SiC MOSFET具有更高的击穿电压、更宽的能带隙和更高的热导率，导致更低的导通电阻和开关损耗。在电动汽车、主驱动控制器等领域，SiC MOSFET的应用正在逐渐取代Si MOSFET，以实现更高的功率密度和效率。特斯拉已经在Model 3中使用SiC MOSFET，预示着未来更多车辆将采用这种技术以降低能耗和提高性能。
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