**深紫外光(Deep Ultraviolet, DUV)和极紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)**是两种用于光刻技术的光源,它们在半导体制造中的应用对于芯片的微缩和性能提升至关重要。随着半导体工艺不断推进至更小的节点,光刻技术的进步,尤其是光源技术的改进,直接影响着集成电路的制造精度、成本和性能。以下是关于深紫外光(DUV)和极紫外光(EUV)光源的详细讨论:
1. 深紫外光(DUV)
深紫外光指的是波长在200纳米到300纳米范围内的紫外光。深紫外光是传统半导体光刻技术中最常用的光源之一。最常见的深紫外光源是基于氟化氩(ArF)的激光器,它的波长为193纳米,通常用于当前主流的半导体制造工艺(如28纳米、14纳米、10纳米工艺节点)。
1) DUV光刻的工作原理
DUV光刻机使用紫外光通过掩模(mask)照射到涂有光刻胶的硅片表面,形成预定的电路图案。光刻胶中暴露的部分会发生化学变化,通过显影处理后,留下图案。在深紫外光技术中,通常采用的是193纳米波长的激光光源。
2) DUV光刻的优势与挑战
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优势:
- 成熟的技术:DUV光刻技