Silvaco学习笔记（九）毕设相关

梳理一下研究思路，真的是很乱很乱

Silvaco淀积氮化硅：

错误写法：

deposit Si3N4 thick=0.3
tonyplot
etch Si3N4 above p1.y=-0.86
tonyplot

正确写法：

deposit nitride thick=0.3
tonyplot
etch nitride above p1.y=-0.86
tonyplot

silvaco淀积铟

问题：

20um厚和7um厚的击穿电压一样？肯定不对（两者网格一致）

line x loc=0 spac=1
line x loc=3 spac=0.2
line x loc=5 spac=0.5
line x loc=7 spac=0.5
line x loc=9 spac=0.2
line x loc=12 spac=1

line y loc=0 spac=0.05
line y loc=1 spac=0.1
line y loc=2 spac=1
line y loc=5 spac=1
line y loc=6 spac=0.1
line y loc=7 spac=0.05
#line y loc=18 spac=1
#line y loc=19 spac=0.1
#line y loc=20 spac=0.05

而且改变了网格之后，计算20um厚的击穿电压居然比5、6、7um的还小（网格定义不一样，5、6、7密集，20稀疏）

既然网格定义不一样结果不一样，那么到底怎样定义网格结果才是对的呢？这其中的标准在哪里呢

刚又实验了一下，稀疏网格5um，1e14，击穿电压92V，之前数据是98V，低了6V

那要是再密集点，是不是还会在98V的基础上提高呢？好难啊

似乎可以定一个maxtrap，如果计算次数不超过此参数，就是较好的网格定义

例如maxtrap=10，如果折半次数≤10就计算出需要的结果，证明可以；但是如果>10还不行，就证明网格定义有问题。

感觉这样想应该挺合理的。

这个5um的maxtrap达到了13

之前记得看过一篇文章说改变maxtrap使之收敛算是治标不治本（例如maxtrap=10不收敛，将之改成20收敛了），最主要的还是网格定义。网格定义好了就计算很快，maxtrap由10-20计算也很慢的。

现在网格定义稀疏了，虽然结果不一致，但速度快，可以先用这个算着，看看结果，检查思路，正确的话再以第一种网格定义来运算。

稀疏网格厚度从5——200击穿电压都是34.6V，说明该网格定义不是准确的。