最新成果：UTC-PD模型

于 2020-03-16 16:16:50 发布
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分类专栏： 半导体器件 仿真模拟 芯片设计
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UTC-PD模型因其快速响应和高饱和输出特性，在超高速光通信等领域广泛应用。相较于PIN型PD，UTC-PD在高光强和大注入状态下表现优越，但光电流饱和和带宽限制仍是挑战。研究团队借助Crosslight软件平台开发出UTC-PD模型，深入探究影响其性能的物理因素，为高速光通信系统提供关键指导。
摘要由CSDN通过智能技术生成

最新成果：UTC-PD模型

由于只依靠电子作为有源载流子，单行载流子光电探测器(Uni-Traveling-Carrier Photodiode,
UTC-PD)具有快速响应，高饱和输出的特点，因此作为不可缺少的关键性元器件，UTC-PD被广泛应用在超高速时分复用光通信、RTD/UTC-PD光电子集成电路和毫米波发生器等系统。

众所周知，传统的PIN型PD由于光生空穴在本征耗尽区的移速较慢，导致空穴积累效应严重，从而形成内建电场，降低了载流子漂移速度；尤其在高光强辐照下，PD处于大注入状态，PIN型PD的响应度显著降低，3dB带宽明显变窄。而相较于PIN型PD，因为前文所述的特殊工作原理，UTC-PD在高光强辐照、大注入状态下则表现出卓越的性能。图1展示了UTC-PD的能带示意图，它是由P型光吸收层和N型宽带隙集结层构成，并且只有电子作为有源载流子。由于电子迁移率远大于空穴迁移率，所以电子的漂移速度具备明显优势；相比于空穴在PD中的积累效应而言，需要更高的入射光强才能导致电子在PD中产生的积累效应（即阈值光强），所以UTC-PD能够有效抑制空间电荷效应[2]，这也使得UTC-PD在大入射光强和大电流的状态下依然保持高速的信号输出。

在这里插入图片描述

图1. UTC-PD能带示意图 [1]。

当然如果入射光强超过阈值&

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Simucal
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最新成果展示：多结VCSEL模型数据库的开发及应用
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新成果展示：载流子输运与复合模型数据库在台面二次刻蚀的Micro-LED中的应用
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为了揭示具有二次刻蚀台面的Micro-LED结构中载流子的输运与复合机制以及对器件的发光效率影响的物理机制，技术团队利用载流子输运与复合模型数据库系统地研究了器件结构内部电场对载流子输运的影响以及载流子的分布与复合情况。另外，我司技术团队也对上述器件结构进行了对比实验制备，并将测试结果与仿真结果进行了比较：如图3所示，利用极化效应和二次刻蚀台面的载流子限制作用可以有效地提高器件B的外量子效率（EQE）和光功率密度。图3（a）器件A和（b）器件B在不同注入电流密度下的外量子效率和光功率密度。
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最新成果展示：半导体激光器光学模型数据库的开发及应用
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为解决该问题，我司技术团队提出通过调控空穴的注入路径来控制不同模式的增益，最终提升GaN基VCSEL的基模输出功率。如图2所示，当减小GaN基VCSEL的电流注入的孔径尺寸时，VCSEL B2依然能够保持高斯形态的单模激光输出。此外，VCSEL B2有源区内的增益覆盖范围与基模分布重叠率上升，与表面浮雕结构所在范围的重叠率下降，器件基模增益上升，激光器输出功率相应提高。图2. VCSEL B1至B3以及VCSEL A2的（a）一维横向光场分布，（b）远场发散角和（c）光输出功率对比图。
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新成果展示：具有倾斜台面的Micro-LED模型数据库的开发与应用
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最新成果展示：Ga2O3材料数据库的开发及其在日盲紫外光电探测器中的应用
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最新成果展示：利用缺陷信息数据库探索界面工程，助力GaN基肖特基势垒二极管的研究
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最新成果展示：p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结模型的开发与应用
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新成果展示：p-NiO插入终端结合MOS结构实现高性能GaN基SBD
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