《涨知识啦38》——多能谷散射和负微分电导效应

对于绝大多数的半导体材料，当其两端施加一定的偏置电压时，电子或空穴会在外加电场的作用下进行漂移运动，且漂移速度随着电场的增加而增大，直到达到饱和漂移速度；然而，对于某一类半导体材料而言，例如n-GaAs，当半导体内部的电场处于某一范围时，n-GaAs材料会呈现出负微分电导区，电子的平均漂移速度逐渐减小，迁移率则为负值。为什么会出现这种现象？由什么引起？带着这些疑问，小赛将为大家慢慢解读。

图1（a）展示了GaAs材料的能带结构，可以看出GaAs材料的导带存在两个能谷，分别为能谷1和能谷2 [1]。导带最低能谷1和价带顶极值都位于布里渊区中心，在 [111] 方向的布里渊区边界L处还有一个高出约0.29 eV的能谷2，且能谷2的曲率比能谷1小，所以能谷2中电子的有效质量大于能谷1中电子的有效质量；这导致两个能谷中的电子迁移率有所不同，即能谷2中的电子迁移率比能谷1中的电子迁移率更小。一般情况下，即温度不高，电场较弱时，导带中大部分电子位于能谷1中；而图1（b）表明，当半导体内电场达到3×103 V/cm时，电子的平均漂移速度开始减小，此时微分电导为负值；这是由于电场达到某一值后，能谷1中电子可以从电场中获得足够的能量，使其能被激发到具有更高的能级能谷2中。由于能谷中迁移率的差异性，能谷2中电子的平均漂移速度减小，从而造成负微分电导现象，从而发生能谷间的散射[1]