天津赛米卡尔科技有限公司技术团队利用半导体仿真平台设计了420V击穿电压的GaN垂直肖特基功率二极管（SFP-SBD）。通过在器件侧壁和台面边缘应用场板结构，成功降低了电势和电流密度，减少了侧壁缺陷的影响。实验结果显示SFP-SBD相比于没有侧壁场板的C-SBD，其击穿电压更高，漏电流更低，且电场分布更优，有望通过增加漂移层厚度达到650V的击穿电压。
依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)]，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)]，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。
图 1 （a）电流-电压关系图， (b) 电势分布图， (c) 电流分布图
图2(a)展示了漏电流与反向电压的关系，SFP-SBD的击穿电压为420 V，而对比结构C-SBD（没有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管）的击穿电压为175 V，并且SFP-SBD的反向漏电流远小于C-SBD。图2（b）和（c）分别展示了C-SBD和SFP-SBD的电场分布图，发现SFP-SBD的台面侧壁电场显著降低，这样可以有效改善边缘终端特性，降低侧壁缺陷产生的漏电流，避免器
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