依托先进的半导体器件仿真设计平台,天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案(SFP-SBD:具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管),并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)],通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构,有效降低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)],从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。
图 1 (a)电流-电压关系图, (b) 电势分布图, (c) 电流分布图
图2(a)展示了漏电流与反向电压的关系,SFP-SBD的击穿电压为420 V,而对比结构C-SBD(没有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管)的击穿电压为175 V,并且SFP-SBD的反向漏电流远小于C-SBD。图2(b)和(c)分别展示了C-SBD和SFP-SBD的电场分布图,发现SFP-SBD的台面侧壁电场显著降低,这样可以有效改善边缘终端特性,降低侧壁缺陷产生的漏电流,避免器