最新成果展示：MIS结构电极物理模型的开发及应用

AlGaN基深紫外LED中高Al组分n-AlGaN材料的掺杂效率较低，导致深紫外LED具有较大的n电极接触电阻。尤其当深紫外LED处于正偏状态时，n电极金属/n-AlGaN处于反偏，随着外加电压增加，n电极的表面耗尽效应加剧，阻碍了电子注入。n电极处产生的较大的接触电阻不仅会降低AlGaN基深紫外LED的电光转化效率（wall-plug efficiency，WPE），同时还会增加器件局部热效应，导致严重的热衰退（thermal droop）现象。

根据我司技术团队前期关于MIS结构的相关仿真结果可知，MIS型n电极结构可以有效地提高电子的注入效率，降低n电极处的接触电阻[1]。此外，SiO2材料因其较小的介电常数，不仅可以提高隧穿区域的电场，增加电子的隧穿几率，同时还可以借助SiO2绝缘层承担更多电压，减小半导体表面的耗尽效应，促进电子的注入效率[2]。如图1（a）所示，我司技术团队制备的具有MIS型n电极结构的AlGaN基深紫外LED采用SiO2绝缘层作为MIS结构的中间层[3]。图1（b）和（c）分别展示了仿真计算获得的两种n电极结构的能带图。对于传统n电极结构，由于半导体和金属材料之间的亲和势差，半导体中会产生表面耗尽效应。如图1（b）所示，金属与半导体接触界面存在一个高达772 meV的肖特基势垒，严重阻碍了电子的注入。而如图1（c）所示，当采用MIS型n电极结构时，绝缘层形成的倾斜的能带可以调节金属和半导体之间的亲和势差，从而屏蔽金属和半导体界面