【芯片封测学习专栏 -- Substrate | RDL Interposer | Si Interposer | 嵌入式硅桥(EMIB)详细介绍】


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Overview

本文将会介绍芯片封装中的 Substrate(衬底或基板), RDL Interposer 技术 ,硅中介层(Si Interposer)及嵌入式硅桥(EMIB)。

芯片封装技术是现代集成电路发展的核心之一,它负责实现芯片与外部世界的电气互联与机械支持。其中,Substrate(衬底或基板)RDL Interposer(重布线层中介层) 、**硅中介层(Si Interposer) 嵌入式硅桥(EMIB)**是多种先进封装方法中的关键技术,它们能够满足高性能、低功耗和小型化的需求。以下详细介绍这些技术,并辅以实例解析。

Substrate(衬底或基板)

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Substrate 定义

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衬底(或基板)是芯片封装中用于实现芯片与封装整体连接的介质。它位于芯片与封装载板之间,提供机械支持,同时将芯片的输入/输出信号分布到整个封装系统。现代基板通常采用有机材料、陶瓷材料或金属-陶瓷复合材料制造。

Substrate 特点与作用
  1. 电气功能 :通过多层布线实现信号分配和电源供电。

  2. 机械功能 :支撑芯片,提供结构完整性。

  3. 热管理 :帮助芯片散热以维持正常工作。

  4. 适配性 :支持微细线宽/线距,适用于更高I/O密度的芯片。

Substrate 实例
  • ABF(Ajinomoto Build-up Film)基板 :用于高性能服务器和图形处理单元(GPU)的封装,以其低热膨胀系数和优异的加工能力广受欢迎。在这里插入图片描述

  • BT(Bismaleimide Triazine Resin)基板 :广泛应用于中低端电子产品,成本低但性能有限。

RDL Interposer(重布线层中介层)

RDL Interposer 定义

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RDL Interposer 是一种通过重新布线金属层 实现芯片间互联 的封装技术。它通常通过在晶圆级封装中构建多层布线金属,实现不同芯片之间的信号传输

RDL Interposer 特点与作用
  1. 小型化与集成化 :可通过局部优化的布线,减少封装尺寸。

  2. 高性能 :金属布线支持更高的信号传输速度和I/O密度。

  3. 柔性应用 :能够适应异构集成需求。

RDL Interposer 实例
  • TSMC的 InFO(Integrated Fan-Out)封装 :广泛应用于高端智能手机芯片,例如苹果A系列芯片。

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  • 三星的 e-PLP(enhanced Panel Level Packaging) :通过RDL技术实现更低的封装厚度与成本。

硅中介层(Si Interposer)

Si Interposer 定义

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硅中介层是一种基于硅材料的中介层,用于在多芯片系统中实现高密度的互联。硅中介层通过 TSV(硅通孔)技术在硅片中制造垂直导电通道,从而实现三维封装。

Si Interposer 特点与作用
  1. 超高互连密度 :支持非常精细的布线(通常为几微米)。

  2. 电气性能优越 :降低了寄生效应(如寄生电容和电感)对信号传输的影响。

  3. 热管理增强 :硅具有较好的热导率,有助于芯片散热。

Si Interposer 实例
  • AMD Radeon GPU 的高带宽显存(HBM)封装 :通过硅中介层实现HBM堆叠与计算芯片的高效连接。

  • Xilinx的Virtex UltraScale+ FPGA :采用硅中介层技术实现高性能多芯片封装。

嵌入式硅桥(EMIB)

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EMIB 定义

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嵌入式硅桥(Embedded Multi-die Interconnect Bridge, EMIB)是一种由英特尔开发的先进封装技术,通过在有机封装基板中嵌入一小片硅桥实现芯片互连。

EMIB 特点与作用
  1. 成本优势 :相比硅中介层,EMIB采用部分硅材料,大幅降低了生产成本。

  2. 互联性能 :实现高带宽和低延迟的芯片通信。

  3. 设计灵活性 :支持不同芯片尺寸和材料的异构集成。

EMIB 实例
  • Intel Kaby Lake-G处理器 :采用EMIB技术整合了CPU和AMD GPU。

  • Intel Ponte Vecchio GPU :通过EMIB实现多计算单元与HBM显存之间的连接。

总结

技术优势适用场景实例
Substrate提供芯片与系统之间的机械支持与电气连接普通IC封装ABF基板(高性能产品)
RDL Interposer通过多层重布线实现高密度互联智能手机、高性能计算封装TSMC InFO
硅中介层高互联密度,支持3D集成高带宽应用,高性能芯片集成AMD HBM封装
EMIB高效、低成本芯片互联异构计算,模块化集成Intel Kaby Lake-G,Ponte Vecchio

上述技术的发展紧密服务于现代计算需求,包括数据中心、人工智能以及消费电子的快速进步。

### RDL InterposerSi Interposer在半导体封装技术中的差异 在半导体封装领域,RDL (Redistribution Layer) interposerSi (Silicon) interposer 是两种不同的中介层解决方案[^1]。 #### 物理特性对比 - **材料属性** - RDL 中介层通常基于有机基板构建,在成本上具有优势。这些基板可以是聚酰亚胺或其他类型的聚合物材料。 - Si 中介层则采用作为主要材质,具备更好的热导率和电性能,能够支持更高密度的互连结构。 - **厚度** - RDL 的厚度一般较大,这可能影响到整体堆叠的高度以及散热效率。 - 相较之下,Si 中介层更薄,有助于实现更加紧凑的设计并改善信号传输质量。 #### 制造工艺区别 - **制造复杂度** - 生产带有 RDL 的中介层相对简单,因为其涉及的是平面化处理后的金属布线过程。 - 而生产 Si 中介层需要利用成熟的半导体加工流程,比如光刻、蚀刻等高精度操作来形成微细线路。 - **集成能力** - 对于 RDL 来说,虽然也可以完成复杂的再分布功能,但在某些情况下难以达到像 Si 那样的高度集成水平。 - 使用 Si 技术可更容易地嵌入无源元件甚至有源器件,从而进一步增强系统的功能性。 #### 应用场景适用性 - **应用场景** - 当项目预算有限或是对于一些不需要极端高性能的应用场合时,选择 RDL 可能更为合适。 - 如果目标是在高端计算平台或通信设备中追求极致的速度与带宽,则 Si 中介层可能是更好的选项。 ```cpp // 示例代码展示如何定义不同类型的interposer类 class Interposer { public: virtual void describe() const = 0; }; class RDLOnterposer : public Interposer { public: void describe() const override { std::cout << "This is an RDL-based interposer.\n"; } }; class SIInterposer : public Interposer { public: void describe() const override { std::cout << "This is a Silicon-based interposer with superior electrical properties and thinner profile.\n"; } }; ```
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