MPS---MPQ86960芯片layout设计总结

MPQ86960 是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动的单片半桥。它可以在宽输入电压 (VIN) 范围内实现高达 50A 的连续输出电流 (IOUT)，通过集成MOSFET 和驱动可优化死区时间 (DT) 并降低寄生电感，从而实现高效率。

MPQ86960 兼容三态输出控制器，另外提供通用电流采样和温度采样功能。该器件是注重高效率与小尺寸的自动驾驶应用理想之选。而且MPQ86960是一个Drmos，一般需要搭配MPQ2967这种控制器使用。本期内容主要讲解的是MPQ86960的layout的注意事项，关于这两者之前如何搭配使用可以去MPS的官网上搜下即可。

单片 DrMOS 功率级应用于汽车 SoC 时的优势

MPQ86960 采用 LGA-38 (5mmx6mm) 封装。

1，原理图的设计：

2，封装设计：