No.2:【An Accurate Calorimetric Loss Measurement Method for SiC MOSFETs】论文学习

标题：An Accurate Calorimetric Loss Measurement Method for SiC MOSFETs (一种精确的SiC MOSFETs量热损失测量方法)

作者：Anup Anurag , Student Member, IEEE, Sayan Acharya , Student Member, IEEE, and Subhashish Bhattacharya , Senior Member, IEEE

期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics (中科院分区：1区)

阅读日期：2022.12.31

单词积累

oscilloscope
英 [əˈsɪləskəʊp]
美 [əˈsɪləskoʊp]
n. [电子] 示波器；示波镜

fed back 反馈，反馈

calibration
英 [ˌkælɪˈbreɪʃn]
美 [ˌkælɪˈbreɪʃn]
n. 标定，校准；（测量器具上的）刻度
[ 复数 calibrations ]

1、研究了什么

不正确的损耗测量值(特别是当损耗测量值小于实际损耗时)会导致热管理系统( TMS )设计不正确，从而影响器件的可靠性，导致过早失效。为了计算开关损耗，双脉冲测试( DPT )等电学测量方法被广泛应用。DPT具有测量时间短、无需设备连续工作等优点。但是，容易产生测量误差。本文提出了一种分离正常换流器运行(导通、开通和关断损耗)时设备中可能发生的所有损耗的方法。该方法的新颖之处在于，只需在一个装置中改变调制策略，即可准确测量变换器(硬开关、软开关和导通损耗)中所有可能的损耗。该方案为确定导通损耗和开关损耗，从而优化电力电子变换器的热设计提供了一种可靠的方法。
第二节简要介绍了SiC MOSFET的损耗击穿。
第三节给出了所提拓扑的原理，包括硬件实现和整个系统的实际设计。它还描述了用于隔离损耗分量的调制技术。
第四节给出了误差分析并讨论了所提拓扑的精确性。
第五部分讨论了在设计量热装置和准确评估开关损耗时遇到的一些挑战。
最后是结论和参考文献。

2、文章创新点

本文提出了一种精确的量热式开关损耗测量方法。该方法基于一种改进型半桥结构，其中DUT与半桥拓扑中的一个器件串联插入。采用不同的调制策略来隔离器件(硬开关、导通和软开关损耗)中可能出现的各种损耗。
为了测量和隔离导通、开通、器件充电/放电和关断损耗，采用了改进型半桥电路。

图中还显示了附加开关Q2 ( DUT )。在开通损耗测量过程中，在C2增加负载电阻( R )。

3、研究方法

该技术是在不改变实验装置的情况下，基于量热技术测量和隔离各种损耗的一种精确方法。基于所提方法，对900 V，23 A SiC MOSFET的损耗进行了测量。

4、得出的结论

对所提出的测量技术进行了误差分析，结果表明，与DPT等电学方法相比，量热技术可以提供更高的精度，特别是在软开关损耗的测量中。

对于电压和电流水平的不同值的额外测量可以以类似的方式进行。