基于准浮动沟道的SPICE模型，用于提高具有多种器件结构的碳化硅MOSFET的建模精度

来源：A Quasi-Floating Channel-based SPICE Model for Improving the Modeling Accuracy of SiC MOSFETs with Multiple Device Structures（TPE 24年）

摘要

摘要 - 本工作介绍了一种新颖的准浮动沟道模型，用于精确模拟碳化硅MOSFET在第三象限的行为。所提出的模型旨在克服现有模型的不足，特别是在负VGS偏压下的情况，显著提高了I-V特性的模拟精度。模型的有效性通过与各种结构的商用器件进行广泛的比较得以证明。实验验证突显了所提议模型的优越性，与传统模型相比，均方根误差（RMSE）最大改善了95.6%，总计算时间最大提升了87.5%。此外，对于极端情况，本工作还通过GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）对所提议的模型进行了评估，这是一种完全浮动沟道结构，作为对比，该模型同样展现了高达94.5%的RMSE降低的最大值，证明了其高精度和可行性。本工作为预测各种碳化硅器件的行为提供了一个准确可靠的模型。

文章的研究内容

这篇文章的主要研究内容集中在开发一种新的SPICE模型，即“准浮动沟道”（Quasi-Floating Channel, QFC）模型，目的是为了提高在不同结构的碳化硅（SiC）MOSFET上模拟第三象限行为的准确性。该模型的创新点在于，它特别针对了在负VGS偏压下现有模型的局限性，显著提升了I-V特性的模拟精度。

研究中，作者们发现，当VGS处于负电压时，SiC MOSFET的沟道并未完全关闭，即便VGS达到-3V，IS-VS（源极电流与源极电压）依然会随着VGS的变化而变化，直到VGS降至-8V左右。这种现象揭示了SiC MOSFET在第三象限的独特行为，需要更精细的模型来准确描述。

QFC模型通过引入对沟道行为的新理解，改进了第三象限I-V特性的模拟。它不仅在SiC MOSFET上表现出了显著的性能提升，相较于传统模型，RMSE（均方根误差）最高改善了95.6%，同时计算时间最多节省了87.5%。更重要的是，QFC模型在处理“全浮动沟道”结构的GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）时，也展示了极高的准确性和可行性，RMSE最多降低了94.5%。

此外，研究中还对SiC MOSFET的各种结构进行了详细的模型测试和验证，包括平面DMOS、双槽UMOS和不对称UMOS结构。通过与商用器件的测量数据进行对比，证实了QFC模型在动态测试中的优异性能，特别是在双脉冲测试（DPT）中，模拟结果与测量波形高度吻合，说明模型能够有效地预测SiC MOSFET在动态开关条件下的行为。

这项研究提出了一个在理论和实践上都显著改进了SiC MOSFET第三象限模拟准确性的新模型，对于电力电子领域中宽禁带半导体器件的设计和优化具有重要的意义。尽管如此，研究也指出，模型在高VDS水平（如超过1000V）和评估短沟道效应方面仍需进一步的方法学发展。尽管如此，QFC模型在现有的评价中已经展现出了作为宽禁带晶体管准确和高效仿真工具的巨大潜力。

文章的研究方法

文章采用的研究方法主要围绕着开发和验证一种新型的SPICE模型，该模型被称为“准浮动沟道”（QFC）模型，目的是为了改进SiC MOSFETs在第三象限行为的模拟准确性。以下是研究过程中采用的关键步骤和方法：

1. 文献回顾与理论分析：研究团队首先回顾了现有文献，识别了在模拟SiC MOSFETs第三象限行为时现有模型的局限性，特别是在负VGS偏压下的表现不佳。他们分析了SiC MOSFETs的物理结构和工作原理，包括不同类型的结构，如DMOS（平面）、DT-UMOS（双槽）和Asy-UMOS（非对称槽）。

2. 模型开发：基于对SiC MOSFETs物理特性的深刻理解，研究团队开发了QFC模型。此模型旨在克服现有模型在模拟第三象限行为时的缺陷，特别是当VGS为负值时。模型的开发考虑了SiC MOSFETs在不同温度和VGS值下的动态特性。

3. 模型验证：为了验证QFC模型的有效性，研究团队选择了多种商业SiC MOSFETs，包括DMOS、UMOS和SBD嵌入式结构。这些设备的参数相似，额定电压均为1200V，最大电流范围在63A到40A之间。在不同温度条件下（从25°C到175°C），对这些设备进行了详细的I-V特性测量，并将结果与QFC模型的预测进行了比较。

4. 性能评估：研究团队使用均方根误差（RMSE）作为评估模型准确性的关键指标。RMSE能够敏感地反映出模型预测与实际测量数据之间的偏差，特别是在存在较大误差的情况下。结果显示，QFC模型在室温和高温操作下，相比于传统模型，最大改善了95.6%的RMSE。

5. 计算效率评估：除了准确性，研究团队还评估了QFC模型在计算效率方面的表现。他们发现，与传统模型相比，QFC模型在计算速度上有显著提升，总计算时间最多缩短了87.5%。

6. 极端案例分析：为了进一步验证模型的适用性，研究团队还将QFC模型应用于GaN HEMT（全浮动沟道结构）的模拟，结果显示了高准确度和可行性，RMSE最多减少了94.5%。

整个研究方法严谨地遵循了从理论模型开发到实验验证的过程，确保了新模型的有效性和实用性。通过这些步骤，研究团队成功地展示了QFC模型在提高SiC MOSFETs模拟精度方面的显著优势。

文章的创新点

文章的创新点主要体现在以下几个方面：

1. 准浮动沟道模型的提出：文章介绍了一种全新的准浮动沟道（Quasi-Floating Channel, QFC）模型，该模型专为提高碳化硅（SiC）MOSFETs在第三象限行为的模拟准确性而设计。这一模型解决了现有模型在负VGS偏压下模拟不精确的问题。

2. 第三象限行为的改进模拟：通过QFC模型，文章显著提高了在第三象限条件下SiC MOSFETs的I-V特性模拟精度。这一改进对于理解器件在软开关和自由轮转等复杂电力电子系统中的行为至关重要。

3. 模型验证与性能提升：文章通过与多种商用SiC MOSFETs结构的广泛比较，证实了QFC模型的有效性。实验验证显示，与传统模型相比，QFC模型在均方根误差（RMSE）上最大改善了95.6%，同时在总计算时间上最大增强了87.5%。

4. 跨材料模型的扩展性：文章还评估了QFC模型在GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）上的表现，这是另一种完全浮动沟道结构。结果表明，该模型同样在GaN HEMT上实现了高精度和可行性，RMSE最大降低了94.5%。

5. 模型的普适性和可靠性：QFC模型不仅适用于SiC MOSFETs，还展示了对不同结构器件的适应能力，为预测各种碳化硅器件的动态行为提供了准确和可靠的手段。

这些创新点共同构成了文章的核心贡献，标志着在宽禁带半导体器件模拟领域的重要进展，对于促进电力电子系统的优化设计和性能提升具有深远意义。

文章的结论

文章的结论部分总结了研究的主要成果，核心要点如下：

1. QFC模型的引入：研究成功地引入了准浮动沟道（QFC）模型，这是一个在模拟碳化硅（SiC）MOSFETs第三象限行为方面的重要进步。该模型的创新点在于其能够更准确地反映在负栅源电压（VGS）下的器件特性。

2. 模型验证与比较：通过广泛的实验分析，QFC模型在不同温度条件下的表现得到了验证，与商业可用的多种SiC MOSFETs结构进行了比较。结果表明，与传统模型相比，QFC模型在均方根误差（RMSE）上平均改善了89%以上。

3. GaN HEMT的适用性：除了SiC MOSFETs，QFC模型还被证明在“全浮动体”GaN HEMT上具有高精度和可行性，进一步证实了模型的通用性。

4. 动态测试性能：QFC模型在动态测试中的表现，尤其是双脉冲测试（DPT），进一步确认了其在描绘SiC MOSFETs在不同VGS下的行为方面的可靠性。

5. 模型的局限性与未来方向：尽管QFC模型取得了显著成就，但在直接测量JFET特性和实际p阱电压方面仍存在挑战，目前依赖于曲线拟合方法。此外，为了更精确地确定在更高VDS（漏源电压）水平（例如大于1000V）下的ID-VD（漏极电流-漏源电压）工作点，以及评估短沟道效应的影响，需要进一步的研究和方法论。

QFC模型作为一项重要进展，为准确和高效地模拟宽禁带半导体器件提供了一种强大的工具，有望在电力电子领域发挥重要作用。然而，模型的持续改进和在极端条件下的适用性仍需进一步探索。