APCVD工艺介绍。

    APCVD（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition），即常压化学气相沉积。顾名思义，与其他常见的气相沉积方法相比，APCVD的主要特点是在常压条件下进行，无需使用高真空设备。APCVD会在晶圆或其他类型的基板上沉积一层通常为几微米厚的材料。

         APCVD的应用：
         在微电子器件中，APCVD可用于沉积绝缘层，如二氧化硅（SiO2）。二氧化硅常用作绝缘层，用于隔离电气隔离度不同的电子元件和导线，它可以防止电流泄漏和相互干扰，确保电路的可靠性和稳定性。 APCVD还可用于沉积导体层，如多晶硅（poly-Si）。多晶硅常用作导体层，用于制造电极、连接线和晶体管等部分。它具有较高的导电性能和良好的可加工性，可以提供电流传输和信号传输的功能。多晶硅可用于制造晶体管的通道区域。在MOS（金属-氧化物-半导体）结构中，多晶硅作为晶体管的主要材料，提供电流传输和电子控制的功能。

         在传感器制造中，APCVD可用于沉积保护层或选择性吸附层，以增强传感器的性能和稳定性。例如，沉积氮化硅（SiNx）用于传感器的防护层，或者沉积金属氧化物用于增加传感器的灵敏度。         APCVD的优点： 高沉积率：一般的沉积速率在几十到几百纳米每分钟， 机台结构简单：APCVD是在常压下的CVD反应，故不需要真空腔室。在此过程中使用“冷壁反应器”。使用通过射频感应加热的石墨基座仅加热晶圆。只有基座和晶圆是热的，这最大限度地减少了反应器壁上的沉积。为了在晶片或基板上实现均匀沉积，基板在沉积过程中经常移动。这通常是通过将基板放在柔性金属带上来实现的，传送带始终运行，使用滚轮装载和卸载晶圆。

         APCVD缺点： 非均匀性较差：在大气压下进行沉积时，由于气体扩散和传输的限制，沉积薄膜的厚度和质量在衬底表面上可能存在一定的非均匀性。这可能导致器件性能的变异性和不一致性。 较高的表面粗糙度
         APCVD沉积的薄膜通常具有较高的表面粗糙度。这主要是由于在大气压下进行沉积时，气体分子碰撞和反应速率较慢，导致形成的薄膜表面不够平滑。          温度限制： 由于APCVD是在大气压下进行的，需要较高的温度来促进气相反应和沉积。这可能对一些热敏感的材料和器件造成限制。 污染风险 在大气压下进行沉积可能会引入外部杂质和污染物，如空气中的水分、氧气和有机物。这些污染物可能对薄膜的质量和性能产生不利影响。

APCVD沉积SIO2工艺：
     可使用硅烷 SiH 4（用氮气 N2高度稀释）和氧气 O2作为工艺气体。这些气体在约 400 °C 时热分解，并相互反应形成所需的薄膜。 SiH 4 + O 2 → SiO 2 + 2H 2 (T = 430 °C, p = 10· 5  °Pa) 可添加臭氧O 3得到更好的一致性，因为它提高了累积颗粒的可移动性。 如果需要得到PSG(Phosphosilicate Glass),则需将磷化氢添加到SiH 4和O 2中，使得沉积的氧化物含有4至8％的磷。大量的磷会导致流动性能的大幅提高。 如果需要得到 BPSG （Boron Phosphosilicate Glass），则需要同时通入磷化氢与B2H6来制备。

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