104|CVD中的PSG,BPSG,FSG分别是什么?

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在半导体制程中,介电层的材料起到了关键的角色。PSG(磷酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)和FSG(氟硅酸盐玻璃)是芯片中常用的三种介质材料,他们说的直白点就是掺杂的硅氧化物,这些掺杂的硅氧化物不仅起到了电气隔离的作用,还可以平滑底层、填充隔离等。因此,那这三种材料是如何制作的?性能有什么异同?

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什么是PSG,BPSG,FSG?
PSG:Phosphosilicate Glass,磷酸盐玻璃,是一种硅和磷组成的二元玻璃。在半导体制程中,PSG通常用作缓冲层或流平层,由于磷的引入,PSG的流动性增强,可以在较低的温度下流平,用来平滑底层。通常用于半导体器件制造中的金属间层,即沉积在连续较高金属层或导电层之间的绝缘层,因为它具有吸收碱离子的作用。

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BPSG:BoroPhosphoSilicate Glass,硼磷硅酸盐玻璃,是由硅、硼、磷组成的三元玻璃。BPSG相比PSG具有更好的流动性和更低的流动温度,因此在需要更大面积覆盖和填充效果的场合,如隔离的制作中,通常优选BPSG。

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FSG:Fluorosilicate Glass,氟硅酸盐玻璃,是一种掺氟的硅酸盐玻璃。FSG的主要优点是它的介电常数较低(约3.6),比未掺杂氟的硅酸盐玻璃的介电常数(约4.0)低,因此FSG常常用作互连层的介电材料,用来降低互连电容,从而降低RC延时,提高芯片性能。

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PSG,BPSG,FSG薄膜是怎么制造的? PSG,BPSG,FSG一般会用CVD的方法进行薄膜沉积,在薄膜沉积后,一般会用到高温退火工艺。退火能改善薄膜的结构性能,如降低缺陷和应力,提高密度和硬度等。通常在进行薄膜沉积时,还需要额外的气体用于稀释和调节反应速率,例如氮气或氩气。氮气(N2)和氩气(Ar)是不活泼的,它们主要作用是帮助控制反应速度和稀释反应气体,以便更精确地控制沉积过程。

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PSG:将含有硅,磷的气体和氧气或含氧气体在反应腔中混合,以形成PSG。 BPSG:将含有磷,硼的气体和氧气或含氧气体在反应腔中混合,以形成PSG。 FSG:将含有氟的气体和氧气或含氧气体在反应腔中混合,以形成FSG。 硅通常来源于硅源气体,例如硅烷(SiH4)、SiH2Cl2等。氧可以直接从氧气(O2)中获取,也可以从其他含氧化合物中获取。 至于磷元素,常用的源气体有磷化氢(PH3)、三氯化磷(PCl3)或五氯化磷(PCl5) 至于硼源,常见的气体包括硼烷(B2H6)和硼氟化物(BF3). 氟源则可以使用氟气(F2)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)或氟化氮(NF3)。

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气体安全
特别需要注意的是,在操作过程中需要小心处理,因为磷化氢是极其有毒的气体,而且在接触空气时可能自燃。三氯化磷和五氯化磷也是有害的,并且可能与空气中的水分子反应,产生有毒有害的磷酸和氢氯酸。硼烷和硼氟化物都是有毒且易燃的气体,特别是硼烷在接触空气时可能自燃。含氟的气体对人体和环境都有一定的危害。
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### 回答1: 多晶硅CVD沉积法在反应器产生高温下的气相反应,生成的硅化合物沉积在衬底表面上,同时产生一些副反应产物,如硅粉、二氧化硅等。在反应器,这些副产物可能会与沉积物一起沉积在衬底表面上,也可能会在反应器形成雾状物,被带到衬底表面上形成雾化现象。造成雾化现象的原因有很多,如反应器的温度、压力、气流速度、反应物的浓度和纯度、反应器的设计等都会对雾化现象产生影响。 ### 回答2: 多晶硅CVD沉积法(Chemical Vapor Deposition)是一种常用的制备多晶硅薄膜的方法。在多晶硅CVD沉积过程可能出现雾化现象,其原因主要有以下几点: 1. 气体流动性差:在CVD沉积过程,需要将气体通过反应室,较长的管道距离和复杂的几何形状可能导致气体流动不畅,形成气体的积聚和纠缠,从而容易发生部分气体的雾化现象。 2. 反应器内的局部过饱和度:在CVD过程,反应器内的某些区域可能存在较高的温度和浓度梯度。当高浓度的气体进入较低温区域时,会达到饱和度过高,超越了气体在此温度下的溶解度,发生气体的凝聚和雾化现象。 3. 气体与固体表面的反应:在CVD沉积过程,气体需要与固体表面发生反应生成薄膜。然而,由于固体表面的不均匀性和杂质的存在,使得某些区域的反应发生不均匀,导致气体的局部过饱和度增加,进一步引发雾化现象。 为了避免多晶硅CVD沉积法的雾化现象,可以采取以下措施: 1. 优化反应器结构和管道设计,确保气体流动的平稳和均匀。 2. 控制反应器温度和气体流速,避免出现局部过饱和度和过高的气体浓度。 3. 提高固体表面的均匀性和纯度,减少气体与固体表面反应的不均匀性。 4. 定期进行反应器的清洗和维护,去除可能导致雾化的杂质和残留物。 通过以上措施的应用,可以有效减少多晶硅CVD沉积法的雾化现象,提高沉积效率和产物质量。 ### 回答3: 多晶硅CVD沉积法的雾化现象是因为在沉积过程,多晶硅的前体气体(通常为硅烷化合物)在加热后发生分解,生成的硅原子从气相转移到固相,最终沉积在衬底上形成多晶硅薄膜。 雾化是由于硅烷化合物的气体在加热过程,遇热分解后产生的硅原子与载气(通常为氢气)发生反应,形成气相的亚氨原子和氨气。这些亚氨原子和氨气在高温的反应室快速扩散,并在冷却区域与衬底表面相遇。 当亚氨原子和氨气与衬底表面相遇时,由于表面的温度梯度存在,亚氨原子和氨气因为气体分子的自由度较大,会更容易被热表面所吸附,然后在衬底上发生沉积,形成薄膜。 然而,当亚氨原子和氨气遇到冷表面或者表面存在缺陷时,亚氨原子和氨气可能无法被吸附并结合成薄膜,而形成气相的颗粒。这些气相颗粒由于浓度过高,会导致沉积过程的雾化现象。 因此,多晶硅CVD沉积法的雾化现象主要是由于沉积物无法在冷表面或者表面缺陷处正常形成薄膜,而形成气相的颗粒。为了减少雾化现象,可以通过优化沉积条件、提高衬底温度或者增加清洗步骤来改善沉积过程的控制。

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