正性光刻胶的曝光机理

知识星球里的学员问：正胶在曝光后，曝光部分会被显影液除去，未曝光部分会被保留，机理是什么？可以讲一讲吗

光刻胶的基本组成？

光刻胶主要是由感光剂，树脂，溶剂，添加剂（增塑剂、表面活性剂、光敏稳定剂等）。树脂是光刻胶的基本骨架，对光不敏感。溶剂主要包括PGMEA,EGMEAD等，用于稀释光刻胶，调整其粘度。感光剂主要是对于光能发生光化学反应。

正性光刻胶的曝光原理？

以上图为例，是某款正性光刻胶的反应方程式： 1，第一步：感光剂的分解反应该款光刻胶所用的光引发剂为三苯基氯化硫鎓盐， 在紫外光（ hv ）的照射下，三苯基氯化硫鎓盐分解生成三苯基硫基阳离子 和六氟锑阴离子（ SbF6- ），酸根离子以及自由基等。 2，树脂的脱保护反应 ：曝光前的树脂是含有化学保护基团的聚合物，树脂在酸的催化作用下，发生脱保护反应。保护基团（如Boc基团，如下图）被酸催化脱去，生成可溶于显影液的产物（如羟基苯乙烯和二氧化碳）。

由于显影液是碱性溶液，可以与生成的酸根离子反应，且树脂的分解物容易溶解在水中，因此曝光部分更容易被除去，留下了未曝光的部分。      欢迎加入我的半导体制造知识星球社区，目前社区有1900人左右，是国内最大的半导体制造学习平台。在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升半导体制造能力，介绍如下： 》