二极管原理及相关特性

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前言

看完视频后的笔记，视频链接点击here。
二极管构成的逻辑函数缺点：电平有偏移，带负载能力差，只用于IC内部电路

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提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

一、半导体导电特性

半导体主要有以下三个特性：

• 热敏性：随着环境温度的升高，半导体的导电能力随之上升
• 光敏性：受到光照时，半导体的导电能力会发生明显变化
• 掺杂性：向纯净的半导体中掺入某些杂质，半导体的导电能力会发生明显变化

二、N型半导体和P型半导体

1.N型半导体

N型半导体掺杂了5价原子，半导体本身结构不改变，因而在构成共价键之后多出电子，这样构成的N价半导体自由电子数目大量增加，自由电子导电为主要的导电方式，称为电子半导体或N型半导体。

• 多数载流子（多子）：自由电子
• 少数载流子（少子）：空穴
  

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2.P型半导体

P型半导体掺杂了3价原子，半导体本身结构不改变，因而在构成共价键之后空穴数目大量增加，空穴导电为主要的导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。

• 多数载流子（多子）：空穴
• 少数载流子（少子）：自由电子

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三、PN结原理

PN结：P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层

• 多子的扩散运动：P型半导体的多子为空穴，N型半导体的多子为电子，由于扩散运动，空穴的运动方向为P->N，电子的移动方向为N->P，P型半导体中电子增加从而带上负电荷，N型半导体中由于空穴增加带上正电。
• 少子的漂移运动：由于电荷之间同性相斥，异性相吸的，使得带负点的P型半导体会推动一部分电子向N型半导体移动，N型半导体中空穴也会有一部分向P型半导体移动。
• 扩散和漂移最终会达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变
  

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四、PN结的单向导电性

4.1 PN结加正向电压

P接正极，N接负极
P型半导体中多子为空穴，N型半导体中多子为电子，多子在电厂作用下定向移动，形成了较大的正向电流。正向电阻较小，处于导通状态。

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4.2 PN结加反向电压

P接负极，N接正极
少子在电厂作用下定向移动，形成了很小的正向电流。反向电阻较大，处于截止状态。

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五、二极管

二极管构成：一个PN结加上引线与封装构成。
根据二极管的构成，它也具有上述PN结正置导通，反置截止的性质，即单向导电性。

除此之外，二极管还具有伏安特性，正向电压不足以产生电流的区域称为二极管的死区，具体描述看别人的视频就可以。
其实记住前面PN结的原理便可以很好地理解伏安特性，电压越高，多子流量越大，电流也就越大，根据I=U/R，电阻减小。
反向击穿，可以当做把共价键打开了，因此原来PN结中的的少子并不能限制住流量，少子数目大量增多，电流飞速增加。