2023华为海思一面（数字后端）

最新推荐文章于 2024-11-28 17:48:33 发布

荨然

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分类专栏：实习经验文章标签：后端集成学习

本文链接：https://blog.csdn.net/xunran111/article/details/124291705

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这篇博客中，作者进行中文自我介绍，并分享了自己的研究课题和学过的相关课程，重点讨论了为何选择数字后端领域。同时，详细解释了ASIC芯片部门的理解，特别是NMOS和PMOS的工作原理，包括它们的增强型与耗尽型区别。此外，作者还阐述了NMOS和PMOS在电路中的应用及其优缺点。最后，提到了数字集成电路中的经典问题——setup与hold时间，以及相关路径图和公式的理解。

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1、中文自我介绍
2、介绍自己的课题
3、介绍自己学过的相关课程
4、为什么选择数字后端
5、对ASIC 芯片部门的了解
6、介绍NMOS/PMOS的工作原理（半导体物理）
NMOS：N沟道
PMOS：P沟道
在这里插入图片描述

增强型与耗尽型区别

以NMOS为例，当Vgs大于阈值电压时，在栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能够排斥空穴而吸引电子，因此吸引的电子会与N+区构成N沟道。
在这里插入图片描述
NMOS常用作下管，因为如果作为上管时，栅极加的电压应该要比VCC大，一般电路中无法提供比系统电压还大的电压。

同理PMOS常用作上管，作为下管时，栅极施加的电压为负值，无法满足，

PMOS管空穴迁移率低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于NMOS。
形成空穴沟道比电子沟道更难，PMOS的阈值电压较NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度便低。
空穴移动与电子移动更难，所以PMOS导通电阻大，发热大，不易通过大电流。
7、由于没有学过半导体物理，因此只问了我所看过的《数字集成电路物理设计》中最经典的setup与hold,两个寄存器的路径图和setup\hold公式（需要自己画在图上，然后面试官需要截图记录）