模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路

1. 金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管
2. MOSFET 基本共源极放大电路
3. 图解分析法
4. 小信号模型分析法
5. 共漏极和共栅极放大电路

1. 金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管

场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件,并且是一种三段器件,所以有时候也称为场效应三极管

在一块掺杂浓度较低的P型半导体基片上的两个区域掺入高浓度的五价杂质元素,形成两个杂质浓度很高的N型区域,然后再在P型硅表面生成一层很薄的二氧化硅绝缘层,再在中间二氧化硅以及两个N型区上面分别安置三个铝电极,它们称为栅极、源极和漏极,常用字母g、s和d表示:

栅极和其他源极包括衬底都是绝缘的,所以常称栅极为绝缘栅极

漏极与源极之间需要通过栅极绝缘层之下称为沟道的区域导电,这个沟道的几何尺寸(长度L和宽度W)都是影响场效应管导电特性的重要参数,它们一般在微米数量级,并且宽度尺寸通常大于长度尺寸

这种方式构成的场效应管称为金属-氧化物-半导体（MOS ）场效应三极管

为了便于分析,常常采用场效应管的纵向剖面图:

实际上,衬底也会引出一个电极:

两个N型区与P型衬底之间一定会形成两个PN结,在栅极无任何电压时,无论漏极和源极之间加什么极性的电压,两个PN结总有一个是处于反向偏置的,漏、源极之间都是无法导通的

这样的场效应管称为增强型场效应管

符号除了表示场效应管之外,还必须描述两个信息:

• 一个是增强型还是耗尽。漏极与源极之间的断线表示栅极未加适当电压时,漏极与源极之间的导通沟道是断开的
• 第二个是N沟道还是P沟道。箭头方向与PN结正向导通方向一致,就是由P指向N,这个箭头是由衬底指向沟道,表示这是N沟道场效应管

MOSFET管工作原理

N 沟道增强型MOSFET

栅源电压对沟道的控制作用

如何让漏极和源极之间出现导电沟道是要解决的第一个问题

实际上,沟道的产生,取决于栅极的电压。最常用的一种工作方式就是衬底和源极并接在一起。另外,为了考察栅极电压单独作用的情况,这里也先把漏极和源极短接在一起,然后在栅极和源极之间加一个正电压$V_{GG}$,也就是栅源电压$V_{GS}$等于$V_{GG}$:

显然,这个电压也是加在栅极和衬底之间的电压。由于绝缘层的存在,这个电压会在珊极和衬底之间形成一个电场,当$V_{GS}$电压还比较小的时候,不会对器件产生比较明显的影响,漏极与源极之间仍然没有导电沟道。逐渐增大栅源电压,电场也逐渐增强,当$V_{GS}$电压增大到一定程度时,在电场力作用下,半导体中会出现明显的变化:

P型区靠近绝缘层下方的多数载流子空穴将被排斥,远离绝缘层;而少数载流子自由电子被吸引到绝缘层下,同时两个N型区的多数载流子也被吸引到栅极区域绝缘层下,这样,在电子层下方,由于缺少载流子而形成耗尽区:

而紧靠绝缘层下方累积出了电子层,因为电子是带负电荷的载流子,所以是N型层:

相对于P型衬底,它也被称为反型层,这个反型层实际上就是漏极和源极之间的导通通道,他将漏极和源极之间联通了,导电沟道是在电场作用下形成的,所以也称为感生沟道:

场效应管也因此而得名,电场的强弱受栅极电压$V_{GS}$控制,只有在栅源电压超过某个固定电压时,才会感生出导电沟道,这个电压称为N沟道增强型MOS管的开启电压用$V_{NT}$表示,它与MOS管的制造工艺有关

当栅源电压增大时,电场增强,导电沟道变厚,沟道的等效电阻减小;反之电场减弱,沟道变厚,等效电阻增大。这种关系反映了栅源电压对沟道的控制作用。

漏源电压对沟道的控制作用

假设栅源电压已经使漏源之间产生了导电沟道,也就是已经有了$V_G$