一、常用术语
• 器件静态功耗Device Static Power: 器件静态功耗是指晶体管连接所有电压轨道的漏电流以及电路正常工作,后期配置的功耗。通常是通过一个白片位流下载进器件中来测量静态功耗。静态功耗是一个和工艺,电压,温度相关的函数,代表了器件的稳定状态,固有的泄露。
•设计功耗 Design Power: 设计功耗由输入数据模式以及设计内部的翻转产生,是一种动态功耗,功耗是瞬时的并且在每一个时钟周期中都会变化,功耗值取决于电压大小,使用的逻辑资源和布线资源,也包括了I/O端口,时钟管理器以及其他需要功耗电路的静态电流,但不包括芯片外的器件功耗。
•总的片上功耗 Total On-Chip Power: 总的片上功耗是器件内部的功耗,等同于器件的静态功耗加上设计功耗,也称为热功耗。
• 片外功耗Off-Chip Power: 片外功耗是电流从电源通过器件,然后从I/O出去在芯片外部组件产生的功耗。器件自身提供的电流通常被外部组件如I/O端口,LED或其他芯片的I/O缓冲器,因此,不会提高器件的节点温度。
注意:负的片外功耗表示电源是来源于外部,用于器件内部的功耗
• 片上功耗Power-On Current: 当电源第一次为设备供电时,有瞬时电流发生。该电流会因供电电压不同存在差异,取决于器件结构以及电源值向额定值变化的能力。电流也取决于器件工作的条件,如温度,不同供电的顺序。由于器件体系结构增强也会引导恰当的供电顺序,该电流产生的功耗通常低于正常工作的电流。
•环境温度 Ambient Temperatur