一种基于熔丝修调的修调方案设计

由于芯片制造过程中的各种偏差，如掺杂浓度的差异，同一晶元上的 MOS 管实际沟长的不同等，其实际值会或多或少地偏离我们的设计量，这就是工艺误差。所以我们在设计基准源电路时，这种工艺误差会造成基准电压与我们设计的值有略微偏差。为了能提高精度、准确度，我们需要引入校准电路来调节芯片的输出值，这个步骤是在芯片制造后实行的，在我们测试芯片观察偏差量后实施的一种校准方式，于是我们要确保可以对电路输出电压做升高或降低的双方向操作。我们以传统的带隙基准源为例，调节输出电压的方式有三种：

1.基于电阻阵列的电阻域修正；

2.基于 BJT 晶体管整列的电压域修正；

3.基于电流镜的电流域修正。

一般是通过熔断连接在器件两端口的保险丝来实现以上的操作。我们以保险丝电阻校准为例说明保险丝如何工作：
传统的金属保险丝用的是铝金属以一种“领带”式结构组成，如下图所示：

我们可以看到两个校准板之间连着两个电阻，一个阻值为𝑅𝑓𝑢𝑠𝑒，另一个为𝑅𝑡𝑟𝑖𝑚；当保险丝完好，AB 节点的阻值可近似为𝑅𝑓𝑢𝑠𝑒。由于保险金属丝由铝金属构成且其阻抗很低，所以总体阻抗通常视为 0，也就是 AB 点的电位是一样的。当有强电流经过保险丝，电流密度过高以至于金属结构无法承受它就会开始加热，其实也就是保险丝的原理；那么产生的热量会将保险丝熔断，于是 AB 节点间的阻值就变成了𝑅𝑡𝑟𝑖𝑚。这种校准方式我们一般称为“上校准”结构，因为总阻值在保险丝熔断后会增加。反保险丝电阻校准方法和 CMOS 开关结构则可以实现“下校准”结构，此时的总阻值在保险丝熔断后会降低。

假设总共有 M 个这种电阻，电流熔断后，总阻值可达$2^{M-1}\ast Rx$。精度和电阻的数量相关联，但是这种方法还是会花费大量的芯片面积。