【工艺】集成电路中的工艺及其方式

Carol0630

已于 2022-04-01 23:50:38 修改

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分类专栏：工艺文章标签： linux ssh 运维

于 2022-04-01 23:12:08 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Carol0630/article/details/123910379

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本文探讨集成电路中的18nm BCD工艺，重点介绍隔离NMOS晶体管的制造方法，强调其在标准BiCMOS流程中的优势。ISORING主要用于隔离噪声，通常采用深井隔离防止闩锁效应。文中还提及isolated nmos在BiCMOS工艺中的应用，对比常规nmos，其通过N-type doping region隔离，类似于SOI技术，但未详细阐述具体优点。

摘要由CSDN通过智能技术生成

参考：【18nmBCD工艺】
使用标准BiCMOS处理步骤和技术制造隔离NMOS晶体管的结构和方法。相对于标准工艺流程，隔离的NMOS设备不需要额外的掩码和处理步骤。一种p型基板，其上覆埋藏n型层，下覆埋藏p型层。n型区域包围并隔离p阱与同一晶圆片上的其他器件。在p阱中形成N+区域，用于源极和漏极连接，并在栅、漏极和源极结构上形成多聚或其他此类电导体，以使NMOS器件运行。寄生双极晶体管由电路设计、电流路径和偏置管理，以确保寄生双极晶体管不开启。

ISORING的作用是什么？是isolated Ring吧，主要看组成部分，一般是隔离noise的。
一般而言是深井隔离，用深N阱隔离不同电位的P型衬底防止闩锁。（不过建议还是看下PDK剖面图，不同工艺隔离的方式不同，如果NW和PW深度相同那么ISO环的功能可能就不只是深井隔离）
在这里插入图片描述

附件是一份介绍isolated nmos的专利，不过没有说到这种器件的优点isolated nmos 仅限于BiCMOS工艺一层N-type doping region 将其substrate与P-type substrate隔离。这种做法和SOI比较相像，有些什么优点可以参考SOI的优点。好像只有nmos有isolate的。