集成电路中的工艺

参考： （毕业论文）ADC 芯片反向分析组
反向工程最主要的工作就是将一颗完整的芯片转换成所熟悉的版图和电路图。这里的难点在于图像的矢量化,在方面消耗了大量的人力。大体的流程应该是:
(1)芯片样品解剖去层
(2)数字拍照
(3)拼接对准
(1)完整图像(码点提取、版图提取、网表提取)其中芯片剖片拍照过程如下:
①芯片开盖开盖以化学法或特殊封装类型开盖,处理金线取出晶粒。
②层次去除以蚀刻方式去除层,包括去除保护层polyimide、氧化层、钝化层、金属层等。
③芯片染色通过染色以便于识别,主要有金属层加亮,不同类型阱区染色, ROM码点染色。
④芯片拍照通过电子显微镜(SEM)对芯片进行拍摄。
⑤图像拼接将拍摄的区域图像进行拼接(软件拼接,照片冲洗后手工拼接)。
⑥版图提取对完整的图像进行软件或人工版图提取。
⑦电路提取进行软件或人工提取。

以上关键之处是显微镜拍摄,如果是通过别的公司的拍摄,通常得到的是冲洗后的照片图像,因为种种原因造成图像不完整,包括得图像放大倍数影响,图像色彩模糊,图像噪点,图像拼接偏差等。第二个关键点,如果得到相关电子图像,就可利用专业软件对图像进行矢量化处理。如果没有专业软件,可以使用测绘矢量化软件(比如asscan, vect2000, r2v等),同样可以得到相同的结果。(这里的关键点,也是对图像的处理,和图像的矢量化。)如果矢量化成功,就可以得到相应的矢量图像,至少可以得到相对坐标点。对矢量图像纠正处理,或坐标点成像处理,应该不是很困难。完整的图像可以得到完整的版图。通过常用的版图编辑工具(如cadence virtuoso)即可对版图提取网表,然后转换成电路图。

通常的情况下,我们得不到高清晰的图像或照片,而且图像都是分层拍摄所以进行人工提取就变成一件十分困难的事情了。本人对此进行了实例操作,主要以poly/oxide层作为基础图像。准备工具幻灯透明纸,不同色彩的油性笔(粗细两头,最好是深色笔),直尺,酒精棉等。划分一个区域,将oxide层描绘在透明纸上(poly gate暂时不描),复印机明暗将metal1层描绘在透明纸上放到poly/oxide图像上;对应重合图像在画好gate的纸上画出接线;以电路软件画出相应品体管级电路;转换为门级电路。(对逻辑电路,通常从标准cell开始,将ce11提取出来后画到透明纸,去对应照片,标出该cel1用到的所有位置,以此类推。)如果觉得此类方法不好,可以将照片扫描或其他方式输入电脑用矢量软件进行描线处理。不过无论采用什么样的方式都需要耐心处理,细致划分和详细标记。

该ADC芯片中包含两部分模拟区域,分别为Analog Small和Analog Big· 在小模拟区域中有许多电容,二级管,匹配电阻,普通MOS管和功率MOs管,小模拟工作区如图4-2所示:
大的模拟工作区的基本器件除了电容、电阻、二级管、普通MOS管和功率MOS管,还有反向器、缓冲器、与非门、或非门等数字单元,如图4-3所示:。

芯片层次

从芯片概貌图中可以看出,该ADC芯片由四层构成,第一层是染色层,第二层是多晶层,第三层是金属1,第四层是金属2。在Chip Analyzer中可以使用数字键1, 2, 3, 4进行切换。
1.染色层
PMOS的衬底是N型硅而MMOS的衬底是P型硅, P型掺杂与N型掺杂在染色层上的颜色是不同的,因此在染色层中可以区分PMOS和NMOS。如图5-1所示(a)为染色层, (b)多晶层。在图5-1的(a)中,暗的区域是P附而亮的区域即为N阱, (b)中可以看到有基本的数字单元, P+、N+、P注入、N注入如图中所示。

2.多晶层
在模拟工作区中多晶层有两层,多晶层1用来作MOS管的栅和走线以及电容的下极板,它的最小宽度为0.5um.多晶层2主要用作电容上极板（MM）。
3.金属1和金属2
布线主要在金属1层进行,金属2用做信号的走线,全局走线。

电阻的提取与分析

电阻是集成电路中的基本元件,在集成电路工艺技术中有多种设计与制造的·方法,根据阻值和精度的要求可以选择不同的结构和形状。
集成电路中的电阻分为无源电阻和有源电阻。无源电阻通常是采用掺杂半导体或合金材料制作的电阻，而有源电阻则是将品体管进行适当的连接和偏置,利用品体管在不同的工作区所表现出来的不同的电阻特性来做电阻。
集成电路电阻可以通过金属膜、掺杂的多品硅,或者通过杂质扩散到衬底的特定区域中产生。这些电阻是微结构,因此它们只占用衬底很小的区域。电阻和芯片电路的连接是通过与导电金属(如铝、钨等)形成接触实现的。
常用的电阻器有基区扩散电阻,对小阻值电阻可采用胖短图形、对一般阻值电阻可采用瘦长图形、对大阻值电阻可采用折叠图形,如图5-2