DA-理解基准中的运放失调

失调随着晶体管面积(WL)的增加,所有的失配都减小。相对△变小。

失调本质上是由于器件失配导致的。MOS管的器件失配会造成运放的失调。
在众多非理想因子中,运放输入失调对基准的影响最为显著。
线性比例失配包含电流镜、面积比N值、电阻比失配三个方面。

失调效应本质上是噪声的一种，但不同于热噪声和闪烁噪声，其是由于器件失配引起的一种噪声，其本质上是一种频率很低的噪声。

当运放输入端有共模电压Vcm时,它会引入一个输入失调电压,我们称之为Vos_CMRR。