光的粒子说(光电效应/康普顿效应)

光电效应由赫兹在1887年发现,表现为光照能使金属表面电子逸出。爱因斯坦的光子说解释了光电效应中的一些困难,如饱和电流、截止频率和瞬时性。康普顿效应则是在X射线散射实验中发现的,证明光子不仅有能量,还有动量,进一步证实了光的粒子性。

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光电效应(光的粒子性)

发现历史

  • 1887年,赫兹(频率单位Hz纪念者)研究电磁波的实验中偶然发现,接受电路的间隙如果受到光照,就更容易产生电火花,这就是最早发现的光电效应。
  • 赫兹的装置
    在这里插入图片描述
  • 装置简图
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  • 装置是很简单的:它的主要部分是一个电火花发生器,有两个大铜球作为电容,并通过铜棒连接到两个相隔很近的小铜球上。导线从两个小球上伸展出去,缠绕在一个大感应线圈的两端,然后又连接到一个梅丁格电池上,将这套古怪的装置连成了一个整体。
  • 合上了电路开关,无形的电流穿过装置里的感应线圈,开始对铜球电容进行充电。当电压上升到2万伏左右,两个小球之间的空气就会被击穿,电荷就可以从中穿过,往来于两个大铜球之间,从而形成一个高频的振荡回路(LC回路)。
  • 接收器的两个小球之间也有火花正从穿过,而整个接收器却是一个隔离的系统,既没有连接电池,也没有任何的能量来源。这是有名的赫兹验证麦克斯韦的预言:电磁波的存在。
  • 同时赫兹还发现了一个现象:当光照在接收器上,更容易产生火花,这就是光电效应。

锌板光电效应实验

  • 实验:用与毛皮摩擦的橡胶棒接触锌板,使其带上负电,验电器张角达到一定程度,再用紫外线灯照射。
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  • 现象:验电器的指针张角变为0。
  • 结论:表明锌板在光线照射下失去电子,电子逸出。
  • 光电效应:照射到金属表面的光,能使金属中的电子从表面逸出,这种现象称为光电效应。

光电管实验

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  • 步骤:
    • 用不同的光照射K极
    • 改变输入电压,使A、K两极间电压增大,观察电压表电流表示数变化。
  • 实验现象
    • 存在饱和电流
      • 光照条件不变,I增大,I增大,最终I趋于饱和(时间t内逸出的电子全部装在板子A端上了)。
      • 逸出的电子可能朝各方向,当u不够大时,只有一部分电子能达到阳极上;当u足够大时,所有电子都能打在阳极上,此时电流趋于饱和。
    • 光的颜色不变,入射光越强,饱和电流越大。
      • 解释:入射光能量大,导致逸出电子数变多。
      • 电子逸出金属克服阻力做功由金属本身决定。
      • 逸出功:电子脱离金属所做功的最小值。
    • 存在遏止电压
      • 当U=0时,I≠0
        • 将输入电压反向,电子减速,电流才会减为0;当I=0时,Uc称为遏止电压。 1 2 m e v c 2 = e U c \frac{1}{2}m_ev_c^2=eU_c 21mevc2=eUc
        • 给定颜色(频率 v v v)的光,无论光的强弱,遏止电压都相同。
        • v v v改变时,遏止电压Uc也会改变(光电子的能量只与入射光的频率有关)。
    • 存在截止频率
      • 当频率 v v v减小至 v c v_c vc时,任取输入电压u,I=0,则 v c v_c vc称为截止频率。
      • 当入射光频率低于截止频率,不发生光电效应。
      • 截止频率与金属材料有关。
    • 光电效应具有瞬时性
      - 当 v > v c v>v_c v>vc,无论光强多小,光电效应瞬时发生, t < 1 0 − 9 s t<10^{-9}s t<109s
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经典电磁理论遇到的困难

  • 遏止电压
    • 光越强,光电子的初动能应该越大,所以遏止电压应该与光的强弱有关,而非与频率有关。
  • 截止频率
    • 无论光的频率如何,只要光足够强, 电子都可以获得足够的能量从而逸出表面,不应该存在截止频率。
  • 瞬时性
    • 如果光很弱,电子需要一定时间才能获得逸出表面所需的能量(有一个能量积累的过程),这个时间远远大于 1 0 − 9 s 10^{-9}s 109s

爱因斯坦的光子说

  • 1905年,爱因斯坦发表了《关于光的产生和转化试探性观点》一文。他表示,光不仅在发射和吸收时,能量是一份一份的,而且光本身就是由一个个不可分割的能量子组成的。
  • 频率为 v v v的光对应能量子为 h v hv hv(普朗克对黑体辐射的解释),这些能量子后来称为光子。
  • 光电效应方程 E k = h v − w 0 E_k=hv-w_0 Ek=hvw0其中 w 0 w_0 w0是指克服阻力做功的最小值(逸出功), E k E_k Ek是指最大初动能。
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  • 光电效应方程对现象的解释
    • 饱和电流
      • 对同种颜色( v v v相同)的光,光越强,光子数越多,照射金属时产生的光电子较多,因而饱和电流较大。
    • 遏止电压
      • 光电子的最大初动能 E k E_k Ek与光强度无光,光强对应的是光电子总数,而非单个光子的能量。因此无论光强大小,遏止电压都相同。
    • 截止频率
      • 根据光电效应方程,当 h v > w 0 hv>w_0 hv>w0时,才有光电子逸出,因此 v c = w 0 / h v_c=w_0/h vc=w0/h即截止频率。当 v < v c v<v_c v<vc时,光子能量小于逸出功,电子无法被打出。
    • 瞬时性
      • 电子一次性吸收光子的全部能量,不需要积累能量的时间,光电流几乎瞬间发生。

康普顿效应(光的粒子性)

  • 康普顿效应
    • 1918年—1922年,美国物理学家康普顿在研究石墨对X射线的散射时,发现在散射的X射线中,除了与入射波长 λ 0 λ_0 λ0相同的成分外,还有波长大于 λ 0 λ_0 λ0的成分,这个现象称为康普顿效应。
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  • 经典理论的疑惑
    • 按照经典物理学理论,入射电磁波引起物质内部带电微粒的受迫振动,振动的带电微粒向四周辐射散射光,散射光的频率应等于带电粒子受迫振动得频率,也就是入射光的频率,因而散射光的波长与入射光的波长应该相同,不会出现 λ > λ 0 λ>λ_0 λ>λ0的散射光。
    • 经典理论无法解释
  • 光子说
    • 康普顿用光子模型成功解释了这种效应。基本思想如下:光子不仅具有能量,而且具有动量。 p = h λ , ε = h v p=\frac{h}{λ},ε=hv p=λh,ε=hv
    • 根据动量守恒,能量守恒定律,可以很好的解释散射光后,光波长变长的现象。
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    • 入射光的动量 p = h λ 0 p=\frac{h}{λ_0} p=λ0h应该等于反冲电子动量 p = m v p=mv p=mv跟散射光动量 p = h λ ′ p=\frac{h}{λ'} p=λh的矢量和,根据找到一个合适的夹角可以算出散射光动量。
    • 测量出散射光的动量减小了,动量减小,表示波长增大了。
### CMOS光电效应的工作原理 CMOS(互补金属氧化物半导体)传感器基于光电效应来捕捉子并将其转换为电信号。当线照射到CMOS传感器上的像素单元时,每个像素中的感二极管会吸收子并将它们转化为电子-空穴对[^1]。这些自由载流子随后被收集起来,在像素内部形成一个小电流或电压变化。 由于CMOS技术允许在每个像素旁边集成放大器和其他信号处理电路,因此可以实现低噪声、高灵敏度的操作模式。这种设计不仅降低了整体功耗,还使得图像采集过程更加高效和快速。 ### 应用场景分析 #### 1. **消费电子产品** 在智能手机和平板电脑等设备中,CMOS传感器因其低成本、小型化以及优异的动态范围表现而成为主流选择。现代手机摄像头普遍采用CMOS技术,能够提供高质量的照片拍摄体验。 #### 2. **安防监控领域** 安防摄像机广泛使用CMOS成像芯片,得益于其良好的弱性能和实时视频传输能力。特别是在夜间或者昏暗环境下工作的高清网络摄像机,更是依赖于先进的CMOS解决方案以获取清晰的画面效果[^2]。 #### 3. **医疗诊断工具** 医疗行业也大量运用到了CMOS影像传感技术,比如内窥镜检查装置就采用了微型化的CMOS探头来进行体内观察;此外还有牙科放射摄影系统也是依靠该种类型的探测元件完成数字化X射线成像任务。 #### 4. **工业自动化检测** 工业视觉系统经常需要用到高速精确的数据捕获功能,而这正是CMOS相机所擅长之处——无论是产品表面缺陷检验还是装配线上物体定位测量等方面均能发挥重要作用。 ```python import numpy as np from PIL import Image, ImageDraw def simulate_cmos_image(width=640, height=480): img_array = np.random.randint(0, 256, (height, width), dtype=np.uint8) image = Image.fromarray(img_array, 'L') draw = ImageDraw.Draw(image) text_position = (width//4, height//2) draw.text(text_position, "Simulated CMOS Sensor Output", fill=255) return image simulate_cmos_image().show() ``` 上述Python脚本模拟了一个简单的灰阶图片生成过程,展示了如何创建类似于CMOS传感器输出的结果预览图样。 ---
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