三极管与mos管的区分与应用
这部分知识每次用都要查,隔一段时间就忘记了.忍无可忍,再此写下来,作为之后然后查找的笔记
这里先推荐几篇我查阅到的笔记,
<<三极管和MOS管驱动电路的正确用法>> https://blog.csdn.net/qq_21794157/article/details/122736035
<<PNP与NPN三极管开关特性>> https://zhuanlan.zhihu.com/p/143366794
插曲,不知道为啥Multisim老是仿真失败,试了好久没成功,最后重开新建文件才顺利.所以仿真也不是很好使.
零、口诀
- 三极管和沟道,符号情况相反:
-三极管,P指N
;电流顺着
箭头方向;
-沟道,N指P
;电流逆着
箭头方向; - 三极管和沟道,对外特性类相似;
-N型,限流与下拉
电阻,控制对电源地
的压差;
-P型,限流与上拉
电阻,控制对电源正
的压差;
一、符号和标识
1.NPN 和 N-MOS
- 三极管NPN,箭头朝外,P指N;电流顺箭头方向;
- 实物封装的集电极
collecttor
(负载)是单独一侧,朝上时
,左边是基极base
(控制),右边是发射极emitter
(电源地); - N沟道MOS管,箭头朝内,(
N指P),电流逆箭头方向; - 实物封装的漏极
drain
(负载)是单独一侧,朝上时
,左边是栅极gate
(控制),右边是源极source
(电源地);
2.PNP 和 P-MOS
2024年8月14日发现配图是镜像过的,导致我那么久一直记错了控制引脚.的位置.已全部更正
- 三极管PNP,箭头朝内,P指N;电流顺箭头方向;
- 实物封装的集电极
collecttor
(负载)是单独一侧,朝下时
,右边是基极base
(控制),左边是发射极emitter
(电源正); - P沟道MOS管,箭头朝外,(
N指P),电流逆箭头方向; - 实物封装的漏极
drain
(负载)是单独一侧,朝下时
,右边是栅极gate
(控制),左边是源极source
(电源正);
把图倒过来,方便理解一点.
这样电流就也是从上到下,从左到右,对应着记忆;
二、应用仿真
1.NPN 和 N-MOS
- 三极管,电流顺着箭头方向, mos管,电流逆着箭头方向;
- 二者都需要输入
限流电阻
和下拉电阻
.特别是三极管输入要加限流电阻,不然驱动电流会很大,注意到mos管的驱动电流更小,负载电流更大.如果作为开关控制负载电流,应该优先选择mos管; - 激活导通的条件是
控制端对电源地的压差
;
2.PNP 和 P-MOS
- N型和P型类似要接
限流电阻
,不同就是接上拉电阻
,激活导通条件是控制端对电源正的压差
; - 如果希望限制负载的电流,也可以在负载回路中添加限流电阻.
三、说明
- 如果负载的位置不按照推荐要求来,可能也能呈现需要的导通现象,但那样的话控制端电流可能会是巨大的,最终导致烧坏控制端电路.使用三极管mos管就是为了保护控制端,避免电流过大.
2024年8月14日: 新加口诀:
- N-左下控制,右下电源地, 有压差时右下与中上导通, 负载在中上;
- P-左下控制,右下电源正, 有压差时右下与中上导通, 负载在中上;