碳化硅模块DCM与HPD针对新能源汽车800V平台系列1200V至1700V高压大电流800A/MODULE（pin丹弗斯ASC800N1200DCS12）

碳化硅SiC模块ASC800N1200DCS12（丹弗斯DCM1200V800A）特性:高温、高湿、偏置操作;超低损耗<5nH;高频操作;MOSFET的零关断尾电流;正常关闭，故障安全设备操作;易于并行;铜底板和氮化硅绝缘体。ASC800N1200DCS12模块助力高速发展的纯电动汽车 (BEV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和混合动力汽车 (HEV)，针对牵引应用开发的功率模块.百度网盘 请输入提取码提取xhep。
1700V800A模块手册：https://pan.baidu.com/s/1_naDBsgpZ5L-dZGY4rZqpg 提取码9sun

DCS12是基于一系列银烧结工艺、并联水道设计、半桥灵活结构、高耐用封装等技术结合的车规级碳化硅功率模块，可实现更高的结温温度以及更佳的极限结温循环。这也使得提升功率密度以及针对新能源汽车市场的更高功率输出和更快充电能力的需求得以实现。从系统层面看，DCS12可兼容硅（Si）和碳化硅（SiC）的芯片封装，实现逆变器的更高效率。这样的自由度可以允许客户采用多个半导体方案，在保证效率最大化、成本效益最优化以及供应安全化的同时提升模块性能。

HPD模块特点

1. AlN+AlSiC散热，最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗。碳化硅器件在新能源汽车应用中，有着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本。SiC MOSFET在新能源汽车车中的主要应用场景包括：主驱逆变器、OBC（车载充电器）、无线充电器、快速充电桩，以及大功率DC/DC。尤为强调的是，800V主电机控制器应用SiC是大势所趋。

1.高耐压：碳化硅具有较高的击穿电场，因此 碳化硅 mosfet 具有较高的耐压能力，适用于高电压应用场景。

2.大电流密度：碳化硅具有较大的电子迁移率，使得 碳化硅 mosfet 具有较大的电流密度，能够承受更大的电流。

3. 高工作频率：碳化硅具有较低的载流子迁移率，使得 碳化硅 mosfet具有较高的工作频率，适用于高频率应用场景。
4.良好的热稳定性：碳化硅具有较高的热导率，使得碳化硅 mosfet 在高温环境下仍具有较好的性能表现。