文章探讨了碳化硅MOS驱动技术如何通过减小耦合电容，使SiCMOSFET能在高频(250kHz)下稳定工作至600V/120A。研究强调了驱动模块性能对SiC功率模块极限频率的影响，为未来半导体模块优化设计提供验证依据。
大功率SiCMOSFET逆变器驱动技术：https://pan.baidu.com/s/1bGqq3dMsx8eZobERujLL7A 提取码2771
...由于极度减小了驱动模块内部的耦合电容量，使SiC 功率模块的高频大功率下可稳定工作
・Vgs = 18/-5V, Rg = 1.6 / 0.1 Ω 600V /120A 250KHz 频率下稳定工作
高性能的驱动模块，使SiC功率模块的高频大功率工作成为现实；由于可将SiC模块驱动到极限的工作状态，证实了其极限频率取决于半导体模块的内部阻抗设计，这为今后半导体模块的优化设计提供了有效的验证手段。
碳化硅MOS驱动设计及特点(SiC MOSFET) -https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957
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