CIS光电流

光电流

假设光被完全吸收而没有反射，并且所有的电子都被收集起来，光电流可以简单地由每秒产生的e-h对的数量来确定。在实际的光敏器件中，如pn结、PPD和MOS电容器，由于其有限的厚度和前表面的光反射，不能保证完全的光吸收。完全的电荷收集也不确定，因为一些载流子可能无法到达电极或重新组合。

在本节中，我们将考虑用作光电二极管的pn结中的光电流，因为这适用于许多其他器件和配置。在图像传感器中，光电二极管通常在反向偏置和断开后以积分模式工作。产生的电子不会离开光电二极管，而是释放其电容，并降低其上的电压。这是关闭复位晶体管的3T像素的情况，也是4T像素的情况，没有任何电极连接到PPD。图3.1所示pn结模型在n侧有一个偏置电极，通过偏置电极施加恒定电压。这只是为了说明;即使偏置电极是浮动的，并且在照明下其上的电压降低，我们将表明光电流具有可忽略的偏置依赖性。

无论掺杂剂或自由载流子的浓度如何，硅中的任何地方都会产生电子-空穴对。在深度为w的耗尽区产生的电流对被迅速分离并作为漂移电流收集，而在中性区产生的电流对在收集前必须先扩散出去，从而产生扩散电流。

根据比尔-朗伯定律$\Phi (x)={\Phi }_0{e}^{-\alpha x}$，入射光通量Φ0(单位面积每秒光子数)到达图3.1的光电二极管表面减小，其中α为吸收系数，x为深度。光子通量的减小是由于e-h对的吸收和产生。由于每个被吸收的光子产生一对光子对，我们可以说光子通量的衰减速率等于e-h对浓度的增加速率。在深度x处光子通量的变化率为：
$$\frac{d\Phi (x)}{dx}=-\alpha {\Phi }_0{e}^{-\alpha x}\text{\hspace{1em}(3.1)}$$

因此，e-h生成速率G(x)(每$c{m}^3$每秒生成的载流子数)为：

$$G(x)=-\alpha {\Phi }_0{e}^{-\alpha x}\text{\hspace{1em}(3.2)}$$

漂移电流密度$J_{dr}$可以通过(3.2)对耗尽深度W积分得到。图3.1中的pn结是不对称的，n侧掺杂更重，因此耗尽主要延伸到p侧。为了简单起见，我们可以假设n面很薄，损耗从x = 0开始，可以得到：
$$J_{dr}=q{\int }_0^{W}G(x)dx=q{\Phi }_0(1-e^{-\alpha W})\text{\hspace{1em}(3.3)}$$

如果w远大于吸收深度1/α，则式(3.3)中的指数项变得非常小，可以忽略不计，因此漂移电流仅取决于光子通量。

在图3.1中，结的n侧的厚度被严重夸大，以说明e-h对产生的位置如何强烈地依赖于波长。紫光(λ = 400 nm)产生了前0.2 μm的几乎所有载流子，这些载流子完全包含在中性n型硅中。另一方面，深红色(λ = 700 nm)在10 μm深度内没有被完全吸收，并且到处产生e-h对。

在中性区产生的电子空穴对向外扩散，直到一些达到耗尽并被收集。这就产生了一个扩散电流，其密度与耗尽边缘的电子浓度np的梯度成正比：

$$J_{diff}=q{D}_n(\frac{\partial n_p}{\partial x}{)}_{x=W}\text{\hspace{1em}(3.4)}$$

与耗尽电流一样，我们认为n侧非常薄，贡献可以忽略不计。从中性p型半导体稳态条件下的扩散方程(3.5)可以找到$n_p$的梯度，平衡了(3.2)中的扩散、复合和光生三项：

$$D_n\frac{{\partial }^2{n}_p}{\partial x^2}-\frac{n_p-n_{p0}}{{\tau }_n}+G(x)=0\text{\hspace{1em}(3.5)}$$

其中$D_n$为扩散系数，${\tau }_n$为电子寿命，$n_{p0}$为p型中性硅中的电子浓度。使用[1]中的解决办法，条件为x→∞(厚中性半导体)时，$n_p=n_{p0}$，x=W时(耗尽边缘电子浓度为零)时，$n_p=0$，代入式(3.4)，得到扩散电流为：

$$J_{diff}=q{\Phi }_0\left(\frac{\alpha L_n}{1+\alpha L_n}\right)e^{-\alpha W}+q{n}_{p0}\frac{D_n}{L_n}\text{\hspace{1em}(3.6)}$$

式中$L_n=\sqrt{D_n{\tau }_n}$为电子扩散长度。总光电流密度为(3.3)和式(3.6)之和：

$$J_{ph}=J_{diff}+J_{dr}=q{\Phi }_0(1-\frac{e^{-\alpha W}}{1+\alpha L_n})+q{n}_{p0}\frac{D_n}{L_n}\text{\hspace{1em}(3.7)}$$

(3.7)中的第二项不依赖于光照。我们将在3.2.3节中看到，这是扩散暗电流(3.26)，通常可以忽略不计。因此，光电流密度变为：

$$J_{ph}=q{\Phi }_0(1-\frac{e^{-\alpha W}}{1+\alpha L_n})\text{\hspace{1em}(3.8)}$$

括号中的项乘以最大可能电流$J_{ph}=q{\Phi }_0$，是光电二极管效率η的度量，称为量子效率(QE)[1]。到目前为止，我们还没有考虑到反射造成的光损失，但如果将反射光的比例R加到(3.8)中，QE变为[1]：

$$\eta =(1-R)(1-\frac{e^{-\alpha W}}{1+\alpha L_n})\text{\hspace{1em}(3.9)}$$

图3.1中最长波长(λ = 700 nm)的吸收系数为$1900c{m}^{-1}$，对应的吸收长度为$1/\alpha =5.26\mu m$(见表1.1)。当W≈6 μm时，(3.8)中的指数项为0.34，其本身会显著减小光电流。然而，在p型硅中掺杂$N_A<10^{15}c{m}^{-3}$，特别是对于外延材料，扩散长度为数百微米，因为电子寿命在毫秒区域[2]。这使得分母$1+\alpha Ln$足够大，因此光电流非常接近最大值qΦ0。因此，在厚的光电二极管中，只要$L_n$大，即使损耗很小，也可以通过扩散收集所有电荷。尽管如此，最小化无场区域是一个好主意，这样大部分电荷就会被漂移收集起来。扩散很慢，降低了传感器的空间分辨率，因为相邻像素产生的电荷会混合在一起，如果我们想要一个清晰的图像，最好避免这种情况。

这个结论是推导式(3.8)的结果，它假设结的p侧非常厚(x→∞)。实际上，这是不正确的，因为图像传感器是建立在厚度在5到20 μm之间的外延硅片上的。epi层生长在高掺杂的p++型衬底上，厚度约为700 μm。图3.2显示了建立在这种外延晶片上的光电二极管。阴极的n+注入非常浅，以尽量减少内部的无场区域。

衬底的电阻率约为$0.01\Omega .cm$，对应于掺杂浓度$\approx 10^{19}c{m}^{-3}$。在如此高的掺杂浓度下，电子寿命要短得多(低于$10^{-7}$s)，扩散长度仅在1微米左右。这意味着在衬底中产生的大部分光电子都丢失了。n+阴极的情况要好得多，因为它通常很浅(图3.2中为0.1 μm)，并且比电子的扩散长度小得多，因此由于复合而损失的电荷很少。

在图3.2所示的光电二极管中，由于中性硅的漂移和有效扩散的结合，外延层中产生的电子被充分收集。在衬底中产生的大多数电子都丢失了，这降低了波长大于约600 nm的QE。这个相当简单的模型允许我们直接从比尔-朗伯定律计算QE。在距离$t_{epi}$处未被吸收的光的比例降低了QE：

$$\eta =(1-R)(1-e^{-\alpha t_{epi}})\text{\hspace{1em}(3.10)}$$

图3.2中的结构与PPD非常相似，尽管没有使用相同的种植体类型。PPD的阴极不是浅的n+注入，而是相似深度的p+ pinning 注入。耗尽包括n型PPD注入和外延层的一部分。因为它已经耗尽了，所以不管里面的掺杂类型是什么。外延层的中性部分与衬底相同。因此，对于基于pn结的光电二极管和基于PPD的光电二极管，光电流的考虑是相同的。

参考书目：

1. CMOS image sensor，Konstantin D Stefanov，2022