CIS耗尽暗电流

耗尽暗电流

在耗尽区，电子和空穴的浓度非常小。这里只有载流子发射是相关的，载流子捕获过程可以忽略不计，因为几乎没有什么可捕获的。

在电子和空穴的阱截面相同的近似下(σσσ p n = =)，由第1章可知的SRH复合速率为：

$$U=\frac{\sigma v_{N_t}(pn-n_i^2)}{p+n+2n_{i}cosh(\frac{E_t-E_i}{kT})}\text{\hspace{1em}(3.12)}$$

这里我们假设一个单一的陷阱类型，浓度为Nt，位于价带上方的能量位置Et。在耗尽p≈0和n≈0，因此：

$$U=-\frac{\sigma v_{th}{N}_t{n}_i}{2cosh(\frac{E_t-E_i}{kT})}=-\frac{n_i}{{\tau }_g}\text{\hspace{1em}(3.13)}$$

式(3.13)中，复合率为负，说明载流子浓度在增加。这里是电子空穴对的生成，而不是复合。

除以ni的项具有时间维数，称为生成寿命τg，类似于第一章中描述的重组寿命。产生寿命(3.14)是耗尽区电子和空穴的有效载流子寿命。由于它们的浓度接近于零，本然载流子浓度ni在分子(3.13)中，而不是过量浓度。

$${\tau }_g=\frac{2}{\sigma v_{th}{N}_t}cosh(\frac{E_t-E_i}{kT})\text{\hspace{1em}(3.14)}$$

由于(3.13)中的分母在$E_t=E_i$时达到最小值，中波段陷阱产生暗电流最有效。远离中波段的陷阱的效果随着其能量位置的函数呈指数下降。对于恰好在中频的陷阱，复合率在其最大Umax处：

$$U=-\frac{\sigma v_{th}{N}_t{n}_i}{2}\text{\hspace{1em}(3.15)}$$

最大速率对应最小生成寿命，等于重组时间的两倍：

$${\tau }_g^{min}=\frac{2}{\sigma v_{th}{N}_t}=2{\tau }_n\text{\hspace{1em}(3.16)}$$

一旦产生，电子-空穴对就会很快被耗尽区的电场扫走。结果就是暗电流。

通常，暗电流表示为电流密度(每个光电二极管面积的电流，或每个像素面积)，以消除对尺寸的依赖，并允许更容易地比较设计和技术。通过深度为w，面积为a的耗尽区的GR电流为单位时间内体积内产生的电荷，等于产生率(3.13)乘以该区域的体积AW。由于所有载流子都以暗电流的形式收集，因此电流密度Jd等于该乘积除以面积A，对于单个中波段陷阱类型，等于：

$$J_{dep}=q|U_{max}|W=\frac{q\sigma v_{th}{N}_t{n}_{i}W}{2}\text{\hspace{1em}(3.17)}$$

如果有不止一种陷阱类型，则每种陷阱的电流密度简单地加在一起。在(3.17)中放入一些数字是有用的，以了解可以预期的暗电流。

由于$v_{th}\propto T^{1/2}$和$n_i\propto T^{3/2}exp(-\frac{E_g}{2kT})$，故损耗暗电流(3.17)的温度依赖性为：

$$J_{dep}\propto T^{2}exp(-\frac{E_g}{2kT})\text{\hspace{1em}(3.18)}$$

温度依赖性由式(3.18)中的指数项主导。指数前项$T^2$的影响可以忽略不计，除非在非常低的温度下。

书本上这样讲，但是理论上来说，在T足够大时，$1/T\to 0$，将上述式子进行泰勒展开，得到结果如下：
$$J_{dep}\propto T^{2}exp(-\frac{E_g}{2kT})\approx T^2(1-\frac{E_g}{2kT}+\frac{E_g^2}{(2kT{)}^2})=T^2-\frac{E_{g}T}{2k}+\frac{E_g^2}{4k^2}$$
可知，在T足够大时，其由$T^2$决定。

在T趋近于0时：
$$J_{dep}\propto T^{2}exp(-\frac{E_g}{2kT})$$
故，上式由谁主导不好说。

如果阱的能量位置远离中频，使得$|E_t-E_i|\gg kT$，则产生寿命(3.14)变为：

$${\tau }_g=\frac{2}{\sigma v_{th}{N}_t}cosh(\frac{E_t-E_i}{kT})\approx \frac{1}{\sigma v_{th}{N}_t}exp(\frac{|E_t-E_i|}{kT})\text{\hspace{1em}(3.19)}$$

暗电流密度为：

$$J_{dep}=\frac{q{n}_{i}W}{{\tau }_g}=q\sigma v_{th}{N}_t{n}_{i}Wexp(-\frac{|E_t-E_i|}{kT})\text{\hspace{1em}(3.20)}$$

总的温度依赖性是：

$$J_{dep}\propto T^{2}exp(-\frac{E_g}{2kT})exp(-\frac{|E_t-E_i|}{kT})\text{\hspace{1em}(3.21)}$$

该公式清楚地表明，远离中频能量位置的陷阱在产生暗电流方面的效率指数较低。

$$J_{dep}\propto T^{2}exp(-\frac{E_a}{2kT})\text{\hspace{1em}(3.22)}$$

式中$E_a=E_g/2+|E_t-E_i|$为阱的活化能。$E_a=E_g/2\approx 0.56V$的陷阱对暗电流的贡献最大。

暗电流(3.17)与耗尽深度成正比，而耗尽深度又取决于$(V_{bi}+V_r{)}^{1/2}$，这取决于突变pn结的反向偏置Vr。这种依赖性可以用作诊断工具。

通常我们假设体积阱在器件中均匀分布，即密度Nt是恒定的。随着反向偏置的增加，耗尽覆盖了更多的陷阱，而中性半导体中保留的陷阱更少，如图3.5所示。一旦pn结完全耗尽，所有的陷阱都变得活跃，暗电流停止增加，因为W不能再增长了。

这种依赖于耗尽深度的关键是中性半导体内部的陷阱产生的暗电流要少得多。电子-空穴对仍然不断产生，但在中性半导体中，产生的电子-空穴对的数量等于重新组合的数量，这使载流子保持在平衡浓度。在中性半导体中，扩散是电荷运动的唯一机制。没有电场来迅速分离电子和空穴，并防止它们重新组合。零电场带来了一种由扩散驱动的不同类型的暗电流。更数学的说法是，在平衡状态下，我们有$pn=n_i^2$，因此载流子浓度的变化率(3.12)为零。

参考书目：

1. CMOS image sensor，Konstantin D Stefanov，2022