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暗电流温度倍增
通常，暗电流加倍的温度变化被用来深入了解其起源，并预测不同温度下的电流。通常的经验法则是，在硅中，温度每升高7°C，暗电流就会翻倍。
这对于粗略估计是有用的，但在一定的温度升高下翻倍意味着幂定律，而不是指数依赖，因此只是近似值。利用耗尽暗电流(3.18)和扩散暗电流(3.30)的表达式，可以根据理论依赖关系计算出倍增温度。
如图3.7所示，倍增温度变化明显，仅当耗尽电流在0℃左右时，倍增温度为7℃。对于扩散电流，由于指数更陡，倍增温度大约是原来的一半。在60℃时，倍增温度分别为11℃和6℃。
参考书目：
- CMOS image sensor，Konstantin D Stefanov，2022
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