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在芯片制造过程中的工艺偏差由global variation 和local variation 两部分组成。
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在集成电路设计实现中,global variation 用PVT 跟 RC-corner 来模拟;local variation 用 OCV/ AOCV/ SOCV 来模拟。
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在40nm 之前OCV 被广泛采用,但是OCV 对同一条path 上的所有cell 都设同一个derate 值,如果设的太严则过于悲观,如果设得太松又会导致过多的path 过于乐观,进入28nm 之后尤其是16nm 之后,OCV 模型越来越"力不从心",于是有了AOCV 模型。
- AOCV 模型不再是一个简单的derate 值,而是跟cell 所在path 的逻辑级数和物理位置相关,AOCV table 通常是基于Monte-Carlo 模型仿真得到的(对此有兴趣的驴友可以研究一下Virtuoso Variety),它的index 是逻辑级数或distance. 但是AOCV 有两缺点,
- 其一:AOCV derate 值跟cell 的输入transition 和输出load 无关,所以不能考虑这部分因素;
- 其二,GBA 模式下计算得到的逻辑级数和distance 过于悲观,而PBA 模式下可以得到精确的逻辑级数和distance 但是runtime