《炬丰科技-半导体工艺》MEMS 应用中不同厚光刻胶的比较研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：MEMS 应用中不同厚光刻胶的比较研究

编号：JFKJ-21-640

作者：炬丰科技

摘要

本工作报告了中高纵横比结构的微制造工艺技术的最新进展，这些结构是通过使用不同种类的光致抗蚀剂的紫外光刻实现的。所得结构被用作模具，并将通过电镀转化为金属结构。我们使用了四种类型的光致抗蚀剂:SPR 220-7 novalak基(正)、SU8环氧基(负)、Ordyl P-50100丙烯酸酯基(负)干膜光致抗蚀剂和Diaplate 132丙烯酸酯基湿光致抗蚀剂(负)。这项工作的动机是寻找SU-8光刻胶的替代品，这种光刻胶在电镀后很难加工和去除。根据不同的应用，我们发现Ordyl P-50100干膜光致抗蚀剂是SU8的最佳替代品，可实现在酸性电镀液中电镀约100米深的模具。SPR 220-7是SU8的一个很好的替代品，用于制造50米深的模具和在碱