用于单晶片清洗的超临界流体

本文介绍了使用超临界二氧化碳作为清洗液进行单晶片清洗的过程。超临界流体因其独特的物理性质,如低粘度、高扩散率和低表面张力,能有效去除有机和无机污染物。通过循环压力,可以实现高效清洗。文中详细阐述了以超临界CO2为清洗液的晶圆清洗系统的操作原理和微观清洗动力学,强调了设备设计中流体压力的均匀分布和隔膜的重要作用。

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引言

使用超临界流体去除污染物的过程,即高于其临界温度和压力的类气体物质。超临界流体具有类液体溶剂化特性和类气体扩散和粘度,使其能够快速穿透缝隙和边界层膜,并完全去除其中包含的有机和无机污染物。此外,通过在超临界和亚临界值之间循环压力,颗粒可以在脉动的膨胀阶段被非常有效地排出。超临界流体的定义可以通过查看相图来充分理解。

二氧化碳作为清洗液:

超临界CO被选为主要清洗液,因为其低粘度(0.05厘米泊)、高扩散率、非常低的表面张力,以及其他环境、安全和成本考虑。对于CO,临界温度T为31℃,临界压力也在实际范围内(Pc=73bar=1050psi)。

图1显示了略高于临界温度的等温线的密度与压力。密度随着临界点附近的压力而显著变化。例如,在31℃时,在环境压力下,密度仅为0.002g/cm3,而在PC下,密度为0.468g/cm3(增加了234倍)。

高于Pc的CO2具有与有机液体相当的密度和溶剂化能力。对于恒定的温度,CO2的溶剂浓度随压力而变化。物理化学性质可以在Pc以上和以下使用,即超临界和亚临界性质在设计良好的清洗过程中都很重要。在这一过程中,流体在两个压力之间循环,如图3所示。

图1

晶圆清洗工艺:

最近引入了一种使用CO2的晶圆清洗系统

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