单晶硅各向异性刻蚀技术

引言单晶硅, 作为IC、LSI的电子材料, 用于微小机械部件的材料,也就是说,作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是, 除了单晶SI或机械性强之外,还在于通过利用仅可用于单晶的晶体取向的各向异性烯酸,精密地加工出微细的立体形状。以各向异性烯酸为契机的半导体加工技术的发展,在晶圆上形成微细的机械结构体,进而机械地驱动该结构体,在20世纪70年代后半期的Stanford大学,IBM公司等的研究中,这些技术的总称被使用为微机械。在本稿中,关于在微机械中占据重要位置的各向异性烯酸技术,在叙述其研究动向和加
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引言

单晶硅, 作为IC、LSI的电子材料, 用于微小机械部件的材料,也就是说,作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是, 除了单晶SI或机械性强之外,还在于通过利用仅可用于单晶的晶体取向的各向异性烯酸,精密地加工出微细的立体形状。以各向异性烯酸为契机的半导体加工技术的发展,在晶圆上形成微细的机械结构体,进而机械地驱动该结构体,在20世纪70年代后半期的Stanford大学,IBM公司等的研究中,这些技术的总称被使用为微机械。在本稿中,关于在微机械中占据重要位置的各向异性烯酸技术,在叙述其研究动向和加工例子的同时,还谈到了未来微机械的发展方向。

实验

作为用于化学各向异性蚀刻的蚀刻剂,已知有KOH水溶液、乙烯胺水溶液等1}。当使用这些进行蚀刻时,具有轮胎蒙特晶体结构的硅的(111)的蚀刻率与其他晶面的蚀刻率相比显示出极小的值。例如,在40℃下对40%KOH水溶液的所有方向的蚀刻率进行测量的结果如图1所示2)。用等高线表示布。全方位中表示蚀刻速率的最大值的是(110),表示最小值的是(111)。两者的蚀刻速率的比约达到1801.另一方面,S1的氧化膜(S102),氮化膜(S13N4),另外掺杂了大量杂质的S1的蚀刻速率与S1相比也非常小。利用这样的性质,可以制作各种各样的立体形状。

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