《炬丰科技-半导体工艺》低温度溶液中高速蚀刻硅

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：低温度溶液中高速蚀刻硅

编号：JFKJ-21-175

作者：炬丰科技

摘要

  在制造复杂的MEMS惯性传感器的过程中，有许多情况下金属化不能用通常的方法来实现 如剥离或传统的金属蚀刻。 在这种情况下，需要使用阴影遮罩。 通过制作，可以实现硅荫罩。 通过在器件区域制造腔体，这也可以用作覆盖晶圆，用于晶圆级封装。 采用氢氧化钾+羟胺双面湿各向异性刻蚀法制备了荫罩溶液在50-60℃的低温下。 为了减少热氧化物的蚀刻，最好选择较低的蚀刻温度用作蒙版层。 本工作重点研究了KOH + NH2OH溶液在低温下的蚀刻速率特性，含硅氧化层的切割、表面形貌和选择性。 这是非常有用的贯穿孔蚀刻用硅用二氧化二氮做面膜。 本文还研究了老化对这些特性的影响，这对连续蚀刻的扩散是有用的特别是在试生产期间。 结果与纯KOH溶液的结果进行了比较。  

简介

  在复杂MEMS惯性制造中传感器，在许多情况下，金属化不能用通常的模式方法如起飞或传统金属腐蚀。 在这种情况下，就有必要制造一个阴影用于传感器最终金属化的掩模。 在硅中使用深度反应离子蚀刻的阴影掩膜法是非常复杂的，因为这需要使用支撑晶片来防止氦冷却剂泄漏。 支撑晶片需要粘接在加工晶圆片上使用冷却油脂或其他方法。这使整个过程更加复杂增加了制造过程中涉及的步骤数影子的面具。 由于这些原因，湿法蚀刻路线是首选用于遮蔽罩法布里阳离子的硅透孔蚀刻。为了将蚀刻时间缩短到原来的一半，湿法蚀刻是在硅晶圆的两侧经过精确的背面后，按进行的掩模模式的对齐。 这也有助于氧化罩涂层能承受长时间的蚀刻。 然而,湿蚀刻有它自己的局限性，例如任意的结构无法组装的垂直侧壁。氢氧化钾和氢四甲基铵是最常用的湿各向异性蚀刻剂用于MEMS中的湿块微加工。   略

实验数据   略

结果与讨论   略