《炬丰科技-半导体工艺》准原子层蚀刻的硅氮化物

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：准原子层蚀刻的硅氮化物

作者：炬丰科技

编号：JFKJ-21-727

摘要

原子层蚀刻(ALE)是一种很有前途的技术，可以解决与连续或脉冲等离子体过程相关的挑战——选择性、轮廓和长宽比相关的蚀刻之间的权衡。与硅、氧化物等材料相比，氮化硅的原子层蚀刻尚未得到广泛的报道。在本文中，作者演示了氮化硅在一个商业等离子体蚀刻室中的自限性蚀刻。本文所讨论的过程包括两个连续的步骤：在氢等离子体中的表面修饰和去除氟化等离子体中的修饰层。除了ALE的特性外，作者还证明了该过程是各向异性的，对氧化物的选择性为>100。虽然不能达到每个循环一个单层的饱和蚀刻速率，但氮化硅的自限蚀刻仍然使我们能够将原子层蚀刻的好处，如没有等密度偏倚和对氧化物的极高选择性纳入实际蚀刻应用。

介绍