《炬丰科技-半导体工艺》 Ga 2 O 3热管理金刚石

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章： Ga2O3热管理金刚石
编号：JFKJ-21-1129
作者：华林科纳

随着多晶金刚石沉积工艺的发展，氧化镓(Ga2O3)是一种很有前途的高电压和高功率密度应用材料，因为它具有4.8eV的宽带隙和在高达8MV/cm的大电场下的抗击穿能力。此外，高质量低成本熔融生长的Ga2O3晶片商用。

对于大功率器件来说，热管理是一个关键的考虑因素，Ga2O3相对来说，11–27W/m-K范围内的低各向异性热导率范围。图1二氧化硅/三氧化二镓上生长的多晶金刚石薄膜的扫描电子显微照片；(a)和(b)在19纳米二氧化硅上的约260纳米金刚石。插图显示在较大面积的表面上均匀生长；©和(d)在100纳米二氧化硅上的约930纳米金刚石。

图1
金刚石的主要生长方式是微波等离子体化学气相沉积。碳源是甲烷(CH4)，生长温度在500℃和700℃之间。超声波接种对于随后的化学气相沉积过程是不可行的，因为种子沉积导致裸露的Ga2O3片，这些片是由化学气相沉积反应室中的氢等离子体分解的。这导致了不连续的金刚石层。液滴播种使用用二甲基亚砜稀释的纳米粒子悬浮液。这使得连续的金刚石层能够通过化学气相沉积法生长。此外，如果厚度超过200纳米，金刚石容易分层。这是属性由于Ga2O3和金刚石之间的热膨胀系数(CTE)失配较大。

如前所述，发现具有单一聚合物辅助晶种层的化学气相沉积生长不足以保护Ga2O3免受氢等离子体的侵蚀。因此，修改了方法，给出了三个纳米粒子单层。即便如此，CVD金刚石也是不均匀的。

最后，通过等离子体增强化学气相沉积法在Ga2O3上施加了一层薄的二氧化硅层。二氧化硅在氢等离子体下比Ga2O3更不易分解。这允许使用单个单层的聚合物辅助纳米粒子作为种子。将所得的金刚石薄膜的均匀性描述为“极好的”(图1)。层厚为19纳米二氧化硅和260纳米金刚石。生长在100纳米二氧化硅上的金刚石层达到930纳米厚，平均晶粒尺寸约为400纳米。薄膜的晶粒尺寸约为130纳米。
添加介电层可以防止衬底蚀刻，并提高金刚石在表面的附着力。还有，更厚的钻石由于通过降低金刚石和介电层之间的CTE失配来降低金刚石膜残余应力，生长成为可能。

图2
用时域和频域热反射(TDTR和FDTR)表征热导率和边界电阻。热反射包括探测脉冲激光辐射产生的声波。分析得到的响应以提取材料结构的热特性。例如，TDTR研究使用82纳米金层作为1.2兆赫兹激光脉冲和声波之间的换能器，用于提取热导率。10k Hz–20MHz范围内的FDTR使边界电阻能够利用TDTR热导率作为输入的一部分导出。发现这些FDTR电阻比仅使用TDTR得出的估计值更精确。的方向平均热导率~ 260纳米金刚石薄膜的估算值约为110瓦/米-克。热边界电阻(TBR)是使用TDTR和FDTR推导出来的(图2)。

二氧化硅层约占~30m2K/GW热边界电阻的四分之三。“TBR的其余部分被认为主要源于金刚石成核区缺陷和界面粗糙度。