《炬丰科技-半导体工艺》稀盐酸基清洗液去除金属和颗粒污染物的研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：稀盐酸基清洗液去除金属和颗粒污染物的研究
编号：JFKJ-21-1314
作者：华林科纳

RCA清洗化学已广泛应用于半导体行业，尤其是用于去除晶片表面的各种污染。根据在RCA清洗中应用的最后一种化学物质，SC2最后过程中的粒子或SC1最后过程中的金属离子都可以留在晶片表面。在实践中，由于金属离子要求低于108原子/cm2，SC2最后清洗工艺更受青睐。然而，SC2最后一次清洗中的残留颗粒成为当前晶片清洗中的一个严重问题。SC2溶液的酸性可以使粒子更容易在晶片表面，因为相反的zeta势吸引的增加而重新沉积。为了提高金属污染的去除能力，防止颗粒的再生，可以在SC2中添加新的表面活性剂或有机酸等化学添加剂。因此，本研究选择这些添加剂对氯化物基清洗溶液进行改性，以保持金属去除效率，防止颗粒再生。所有实验均采用直径为6英寸的型硅晶片，使用36%盐酸将基溶液从0.02wt%滴定到0.5wt%。对于添加剂，我们选择了TritonX-100和草酸来评价金属和颗粒的去除效率。为了比较颗粒再生情况，将硅片浸入100nm胶体硅和聚苯乙烯乳胶(PSL)的颗粒溶液中。在添加或不添加添加剂的清洗溶液中的晶片颗粒上。用光学显微镜评估复位率。我们观察到，TX-100的存在可以帮助防止二氧化硅和PSL的颗粒再生，并保持较高的金属去除效率。在化学物质中测量了zeta电位，以了解电荷对粒子复位的影响。在金属去除评价中，使用氯化铜和氯化铝溶液通过浸渍法对Si进行故意污染。从离子态出发，铜污染物电化学生长为尺寸小于10nm的纳米颗粒，而铝污染物电化学生长为尺寸小于4nm以下。AFM用于测量金属污染水平。
为了了解TritonX-100溶液中二氧化硅和PSL粒子的静电行为，我们在TritonX-100浓度变化时进行了zeta电位分析。图31显示了100nm胶体二