FinFET Grid是一种设计格点,介绍该格点之前,先介绍一下什么是FinFET技术。
FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor;FinFET)是一种新的互补式金属半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。闸长以可小于25纳米,未来预计可进一步缩小至9nm。这种突破,可以使未来芯片设计人员有望将超级计算机设计成只有指甲搬大小。
FinFET是源自于传统标准的晶体管-场效应晶体管(Field-Effect Transistor)的一种创新设计。简单的来说,是一种新型的3D多闸道晶体管,采用FinFET设计技术,可以很大的提高芯片处理速度以及大幅度降低功耗,这在当今注重低功耗设计手机芯片中尤为重要,FinFET技术是推动芯片走向16/14nm的重要节点。
下面来介绍FinFET grid概念,这是对应于Floorplan中对应于FinFET引入的网格单元,在FinFET的设计中,所有元件(包括macro)都要对齐到FinFET grid上。它的定义在tech file中:
其中的VERTICAL和HORIZONTAL的关键字分别对应X/Y轴的pitch
因为后端工具已经把这些复杂的技术简单化的体现在软件的应用中,所以对后端工具的使用者来说非常友好